第章 电子元器件
第节电阻器
11 电阻器含义电路中电流阻碍作造成量消耗部分电阻
12 电阻器英文缩写：R（Resistor） 排阻RN
13 电阻器电路符号： R WWW
14 电阻器常见单位千欧姆（KΩ） 兆欧姆（MΩ）
15 电阻器单位换算 1兆欧103千欧106欧
16 电阻器特性：电阻线性原件电阻两端电压流电阻电流成正通段导体电流强度段导体电阻成反欧姆定律：IUR
表 17 电阻作分流限流分压偏置滤波（电容器组合）阻抗匹配等
18 电阻器电路中R加数字表示：R15表示编号15电阻器
19 电阻器电路中参数标注方法3种直标法色标法数标法
a直标法电阻器标称值数字文字符号直接标电阻体允许偏差百分数表示未标偏差值±20
b数码标示法贴片等体积电路三数码中左右第二位数表示效数字第三位表示10倍幂者R表示(R表示0)：472 表示 47×102Ω（47KΩ） 104表示100KΩR22表示022Ω 1221200Ω12KΩ 140214000Ω14KΩ R22022Ω 50C324*100324KΩ17R8178Ω0000Ω 00Ω
c色环标注法普通色环电阻器4环表示精密电阻器5环表示紧电阻体端头色环第环露着电阻体色较端头末环现举例：
果色环电阻器四环表示前面两位数字效数字第三位10倍幂 第四环色环电阻器误差范围(见图)
四色环电阻器（普通电阻)
标称值第位效数字
标称值第二位效数字
标称值效数字0数(10倍幂)
允许误差
颜 色
第位效值
第二位效值
倍 率
允 许 偏 差
黑
0
0
棕
1
1
±1
红
2
2
±2
橙
3
3
黄
4
4
绿
5
5
±05
蓝
6
6
±025
紫
7
7
±01
灰
8
8
白
9
9
―20 ~ +50
金
5
银
10
色
20
图11 两位效数字阻值色环表示法
果色环电阻器五环表示前面三位数字效数字第四位10倍幂 第五环色环电阻器误差范围(见图二)
五色环电阻器（精密电阻）
标称值第位效数字
标称值第二位效数字
标称值第三位效数字
标称值效数字0数(10倍幂)
允许误差
颜色
第位效值
第二位效值
第三位效值
倍 率
允许偏差
黑
0
0
0
棕
1
1
1
1
红
2
2
2
2
橙
3
3
3
黄
4
4
4
绿
5
5
5
05
蓝
6
6
6
025
紫
7
7
7
01
灰
8
8
8
白
9
9
9
20～+50
金
±5
银
±10
图12 三位效数字阻值色环表示法
dSMT精密电阻表示法通常3位标示般2位数字1位字母表示两数字效数字字母表示10倍幂根实际情况精密电阻查询表里出查找面精密电阻查询表
代码
阻值
代码
阻值
代码
阻值
代码
阻值
代码
阻值
code
resiscane
code
resiscance
code
resiscance
code
resiscance
code
resiscance
1
100
21
162
41
261
61
422
81
681
2
102
22
165
42
267
62
432
82
698
3
105
23
169
43
274
63
442
83
715
4
107
24
174
44
280
64
453
84
732
5
110
25
178
45
287
65
464
85
750
6
113
26
182
46
294
66
475
86
768
7
115
27
187
47
301
67
487
87
787
8
118
28
191
48
309
68
499
88
806
9
121
29
0196
49
316
69
511
89
825
10
124
30
200
50
324
70
523
90
845
11
127
31
3205
51
332
71
536
91
866
12
130
32
210
52
340
72
549
92
887
13
133
33
215
53
348
73
562
93
909
14
137
34
221
54
357
74
576
94
931
15
140
35
226
55
365
75
590
94
981
16
143
36
232
56
374
76
604
95
953
17
147
37
237
57
383388
77
619
96
976
18
150
38
243
58
392
78
634
96
976
19
154
39
249
59
402
79
649
20
153
40
255
60
412
80
665
symbol
A
B
C
D
E
F
G
H
X
Y
Z
multipliers
100
101
102
103
104
105
106
107
101
102
103
110 SMT电阻尺寸表示：长宽表示（0201060308051206等具体02表示长002英寸宽001英寸）
111 般情况电阻电路中两种接法串联接法联接法
电阻计算：
R1
R1 R2
R2
串连： 联：
RR1+R2 R1R1+1R2
112 电阻串联计算方法：
串联：R总串R1+R2+R3+……Rn
联：1R总1R+2R+3R……1Rn
113 电阻器坏检测
a指针万表判定电阻坏首先选择测量档位倍率档旋钮置适档位般100欧姆电阻器选RX1档100欧姆1K欧姆电阻器选RX10档1K欧姆10K欧姆电阻器选RX100档10K100K欧姆电阻器选RX1K档100K欧姆电阻器选RX10K档
b测量档位选择确定万表电阻档进行校0 校0方法万表两表笔金属棒短接观察指针0位置果0位置调整调零旋钮表针指电阻刻度0位置
c接着万表 两表笔分电阻器两端相接表针应指相应阻值刻度果表针动指示稳定指示值电阻器标示值相差说明该电阻器已损坏
d数字万表判定电阻坏首先万表档位旋钮调欧姆档适档位般200欧姆电阻器选200档2002K欧姆电阻器选2K档2K20K欧姆选20K档20K200K欧姆电阻器选200K档200K200M欧姆电阻器选择2M欧姆档2M20M欧姆电阻器选择20M档20M欧姆电阻器选择200M档
第二节 电容器
21 电容器含义衡量导体储存电荷力物理量
22 电容器英文缩写C (capacitor)
23 电容器电路中表示符号 C CN(排容)
24 电容器常见单位 毫法（mF）微法（uF）纳法（nF）皮法（pF）
25 电容器单位换算 1法拉103毫法106微法109纳法1012皮法 1pf103nf106uf109mf1012f
26 电容作隔直流旁路耦合滤波补偿充放电储等
27 电容器特性 电容器容量表示贮存电电容交流信号阻碍作称容抗交流信号频率电容量关电容特性隔直流通交流通低频阻高频
28 电容器电路中般C加数字表示C25表示编号25电容
29 电容器识方法电阻识方法基相分直标法色标法数标法3种
a 直标法电容标称值数字单位电容体表示出：：220MF表示220UF01UF表示001UFR56UF表示056UF6n8表示6800PF
b 标单位数码表示法中位四位数表示效数字般PF电解电容容量UF3表示3PF2200表示2200PF0056表示0056UF
c 数字表示法般三数字表示容量前两位表示效数字第三位表示10倍幂102表示10*1021000PF224表示22*10402UF
d 色环色点表示电容器参数电容器色标法电阻相
电容器偏差标志符号：+1000H+10010R+5010T+3010Q+5020S+8020Z
210 电容分类根极性分极性电容极性电容常见电解电容极性正负极分
211 电容器性指标 电容器容量(储存电荷容量)耐压值(指额定温度范围电容长时间工作直流电压交流电压效值)耐温值(表示电容承受高工作温度)
212 电容器品牌 板电容分台系日系两种日系品牌：NICHICONRUBICONRUBYCON（红宝石）KZGSANYO（三洋）PANASONIC（松）NIPPONFUJITSU（富士通）等台系品牌：TAICONGLUXCONTEAPOCAPXONOSTGSCRLS等
电容器计算：
C1 c2
~~～
c1 c2
串连： 联：
1C1C1+1C2 CC1+C2
213 电容串联联计算公式
C串1C1C1+1C2+1C3++1CN
CCC1+C2+C3+……+CN
214 电容器坏测量
a脱离线路时检测
采万表Ｒ×１ｋ挡检测前先电解电容两根引脚相碰便放掉电容残余电荷表笔刚接通时表针右偏转角度然表针缓慢左回转表针停表针停指示阻值该电容漏电电阻阻值愈愈应接穷处果漏电电阻十千欧说明电解电容漏电严重表针右摆动角度越（表针应该左回摆）说明电解电容电容量越反说明容量越
b线路直接检测
检测电容器否已开路已击穿两种明显障漏电障受外电路影响般测准万表Ｒ×１挡电路断开先放掉残存电容器电荷测量时表针右偏转说明电解电容部断路果表针右偏转指示阻值（接短路）说明电容器严重漏电已击穿果表针右偏回转指示阻值说明电容器开路应脱开电路进步检测
c．线路通电状态时检测怀疑电解电容通电状态存击穿障电路通电然万表直流挡测量该电容器两端直流电压果电压低０Ｖ该电容器已击穿 电解电容正负极标志清楚必须先判出正负极换万表笔测两次漏电（电阻值）次准黑表笔接脚负极脚正极
第三节 电感器
31 电感器英文缩写：L (Inductance) 电路符号：
32 电感器国际标准单位 H(亨利)mH(毫亨)uH（微亨）nH（纳亨）
33 电感器单位换算 1H103m H＝106u H＝109n H1n H＝103u H106m H10 9H
34 电感器特性：通直流隔交流通低频阻高频
35 电感器作：滤波陷波振荡储存磁等
36 电感器分类空芯电感磁芯电感磁芯电感称铁芯电感铜芯电感等机板中常见铜芯绕线电感
37 电感电路中常L加数字表示：L6表示编号6电感电感线圈绝缘导线绝缘骨架绕定圈数制成直流通线圈直流电阻导线身电阻压降交流信号通线圈时线圈两端会产生感电动势感电动势方外加电压方相反阻碍交流通电感特性通直流阻交流频率越高线圈阻抗越电感电路中电容组成振荡电路电感般直标法色标法色标法电阻类似：棕黑金金表示1uH（误差5）电感
38 电感坏测量电感质量检测包括外观阻值测量首先检测电感外表完磁性缺损裂缝金属部分腐蚀氧化标志完整清晰接线断裂拆伤等万表电感作初步检测测线圈直流电阻原已知正常电阻值进行较果检测值正常值显著增指针动电感器体断路正常值许判断电感器体严重短路线圈局部短路需专仪器进行检测
第四节 半导体二极
41 英文缩写：D (Diode) 电路符号
42 半导体二极分类
分类：a 材质分：硅二极锗二极
b途分：整流二极检波二极稳压二极发光二极光电二极变容二极
稳压二极 发光二极 光电二极 变容二极
43 半导体二极电路中常D加数字表示：D5表示编号5半导体二极
44 半导体二极导通电压
a硅二极两极加电压电压06V时导通导通电压保持0608V间
B锗二极两极加电压电压02V时导通导通电压保持0203V间
45 半导体二极特性单导电性正电压作导通电阻反电压作导通电阻极穷
46 半导体二极分整流检波发光光电变容等作
47 半导体二极识方法：
a目视法判断半导体二极极性般实物电路图中通眼睛直接出半导体二极正负极实物中果端颜色标示负极外端正极
b万表(指针表)判断半导体二极极性通常选万表欧姆档(R﹡100R﹡1K)然分万表两表笔分出接二极两极出二极导通测阻值较(般十欧姆千欧姆间)时黑表笔接二极正极红表笔接二极负极测阻值(般百千欧姆)时黑表笔接二极负极红表笔接二极正极
c测试注意事项：数字式万表测二极时红表笔接二极正极黑表笔接二极负极时测阻值二极正导通阻值指针式万表表笔接法刚相反
48 变容二极根普通二极部 PN结 结电容外加反电压变化变化原理专门设计出种特殊二极变容二极绳电话机中手机座机高频调制电路实现低频信号调制高频信号发射出工作状态变容二极调制电压般加负极变容二极部结电容容量调制电压变化变化
变容二极发生障表现漏电性变差：
（1）发生漏电现象时高频调制电路工作调制性变差
（2）变容性变差时高频调制电路工作稳定调制高频信号发送方方接收产生失真
出现述情况时应该更换型号变容二极
49 稳压二极基知识
a稳压二极稳压原理：稳压二极特点击穿两端电压基保持变样稳压接入电路电源电压发生波动原造成电路中点电压变动时负载两端电压基保持变
b障特点：稳压二极障表现开路短路稳压值稳定3种障中前种障表现出电源电压升高2种障表现电源电压变低零伏输出稳定
c 常稳压二极型号稳压值表：
型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761
稳压值 33V 36V 39V 47V 51V 56V 62V 15V 27V 30V 75V
410 半导体二极伏安特性：二极基特性单导电性（注：硅导通电压06－08V锗导通电压02－03V）工程分析时通常采07V
411 半导体二极伏安特性曲线：（通二极电流Ｉ两端电压Ｕ关系曲线二极伏安特性曲线）见图三
图三 硅锗伏安特性曲线
412 半导体二极坏判万表(指针表)R﹡100R﹡1K档测量二极正反电阻求1K左右反电阻应100K总正电阻越越反电阻越越正电阻穷说明二极部断路反电阻零表明二极击穿部断开击穿二极均
第五节 半导体三极
51 半导体三极英文缩写：QT
52 半导体三极电路中常Q加数字表示：Q17表示编号17三极
53半导体三极特点：半导体三极（简称晶体）部含2PN结具放力特殊器件分NPN型PNP型两种类型两种类型三极工作特性互相弥补谓OTL电路中PNP型NPN型配
材料分 分硅锗国目前生产硅NPN型锗PNP型
`E(发射极) C(集电极) E(发射极) C(集电极)
B(基极)
B(基极)
NPN型三极 PNP型三极
54 半导体三极放条件实现放作必须三极加合适电压子发射结必须具备正偏压集电极必须反偏压三极放必须具备外部条件
55 半导体三极参数
a 电流放系数：三极电流分配规律IeIb+Ic基极电流Ib变化集电极电流Ic发生更变化基极电流Ib微变化控制集电极电流较三极电流放原理βΔIcΔIb
b极间反电流集电极基极反饱电流
c极限参数：反击穿电压集电极允许电流集电极允许功率损耗
56半导体三极具三种工作状态放饱截止模拟电路中般放作饱截止状态般合数字电路中
a半导体三极三种基放电路
射极放电路
集电极放电路
基极放电路
电路形式
直流通道
静态工作点
交流通道
微变等效电路
ri
Rbrbe
ro
RC
RC
途
级放电路中间级
输入输出级缓级
高频电路恒流源电路
b三极三种放电路区判断放电路中通交流信号传输路径判断没交流信号通极极公极
注：交流信号基极输入集电极输出发射极公极
交流信号基极输入发射极输出集电极公极
交流信号发射极输入集电极输出基极公极
57 万表判断半导体三极极性类型(指针式万表)
a先选量程：R﹡100R﹡1K档位
b判半导体三极基极：
万表黑表笔固定三极某电极红表笔分接半导体三极外两电极观察指针偏转两次测量阻值改脚接基极（两次阻值NPN型两次阻值PNP型）两次测量阻值黑笔重新固定半导体三极引脚极继续测量直找基极
c判半导体三极c极e极：
确定基极NPN万表两表笔接三极外两极交测量两次两次测量结果相等中测阻值较次黑笔接e极红笔接c极（PNP型黑红表笔接电极相反）
d 判半导体三极类型
果已知某半导体三极基极红表笔接基极黑表笔分测量外两电极引脚果测电阻值该三极NPN型半导体三极果 测量电阻值该三极PNP型半导体三极
58 现常见三极部分塑封准确判断三极三引脚bce？三极b极容易测出断定ce？
a 里推荐三种方法：第种方法：测三极hFE插孔指针表先测出b极三极意插插孔中（然b极插准确）测hFE值
b然子倒测遍测hFE值较次脚插入位置正确第二种方法：hFE测量插孔表子太方便插入插孔种方法：NPN先测出b极（子NPNPNPb脚容易测出吧？）表置R×1kΩ档红表笔接假设e极（注意红表笔手碰表笔尖脚）黑表笔接假设c极时手指捏住表笔尖脚子起舌尖舔b极表头指针应定偏转果表笔接正确指针偏转会果接指针偏转会差明显判定子ce极PNP黑表笔接假设e极（手碰笔尖脚）红表笔接假设c极时手指捏住表笔尖脚然舌尖舔b极果表笔接正确表头指针会偏转较然测量时表笔交换测两次较读数判定方法适外形三极方便实根表针偏转幅度估计出子放力然验
c第三种方法：先判定子NPNPNP类型b极表置R×10kΩ档NPN黑表笔接e极红表笔接c极时表针会定偏转PNP黑表笔接c极红表笔接e极时表针会定偏转反会偏转判定三极ce极高耐压子方法适
常见进口型号功率塑封c极基中间（没见b中间）中功率b极中间常9014三极系列型号三极2SC18152N54012N5551等三极b极中间然c极中间维修更换三极时尤功率三
极原样直接安定先测
59 半导体三极分类：a频率分：高频低频
b功率分：功率中功率功率
c机构分：PNPNPN
d材质分：硅锗
e功分：开关放
510 半导体三极特性：三极具放功（三极电流控制型器件－通基极电流发射极电流控制集电极电流子少子导电称双极型元件）
NPN型三极发射极特性曲线
IC(mA)
IB(mA) 80μA
4 饱
UCE0V 1V 放区 60μA
3 区
04 ΔIC ΔIB 40μA
2
02 20μA
1
0 04 06 08 UBE(V) IB0μA
截止区
输入特性曲线 0 2 4 6 8 UCE(V)
输出特性曲线
三极区工作条件：
1． 放区：发射结正偏集电结反偏：
2． 饱区：发射结正偏集电结正偏
3． 截止区：发射结反偏集电结反偏
511 半导体三极坏检测
a先选量程：R﹡100R﹡1K档位
b测量PNP型半导体三极发射极集电极正电阻值
红表笔接基极黑表笔接发射极测阻值发射极正电阻值黑表笔接集电极(红表笔动)测阻值便集电极正电阻值正电阻值愈愈
c测量PNP型半导体三极发射极集电极反电阻值
黑表笔接基极红表笔分接发射极集电极测阻值分发射极集电极反电阻反电阻愈愈
d测量NPN型半导体三极发射极集电极正电阻值方法测量PNP型半导体三极方法相反
第六节 场效应(MOS)
61场效应英文缩写：FET(Fieldeffect transistor)
62 场效应分类：结型场效应绝缘栅型场效应
63 场效应电路符号：
D D
G G
结型场效应
S S
N沟道 P沟道
64场效应三引脚分表示G(栅极)D(漏极)S(源极)
D D D D
G
G G G 绝缘栅型场效应
S S S
增强型 S 耗型
N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
注：场效应属电压控制型元件利子导电称单极型元件具输入电阻高噪声功耗低二次击穿现象等优点
65场效应晶体优点：具较高输入电阻高输入电流低零信号源吸取电流基极注入电流直接影响集电极电流利输出电流控制输出电源半导体
66场效应晶体较
（1）场效应电压控制元件晶体电流控制元件允许信号源取较少电流情况应选场效应信号电压较低允许信号源取较电流条件应选晶体
（2）场效应利数载流子导电称单极型器件晶体数载流子利少数载流子导电称双极型器件
（3）场效应源极漏极互换栅压正负灵活性晶体
（4）场效应电流低电压条件工作制造工艺方便场效应集成块硅片场效应
67 场效应坏极性判万表量程选择RX1K档黑表笔接D极红表笔接S极手时触GD极场效应应呈瞬时导通状态表针摆阻值较位置手触GS极 场效应应反应表针回零位置动时应判断出场效应
万表量程选择RX1K档分测量场效应三脚间电阻阻值某脚两脚间电阻值均穷时交换表笔穷时脚G极两脚S极D极然万表测量S极D极间电阻值次交换表笔测量次中阻值较次黑表笔接S极红表笔接D极
第七节 集成电路
71 集成电路英文缩写 IC(integrate circuit)
72 电路中表示符号 U
73集成电路优点集成电路块单晶硅光刻法制作出三极二极电阻电容特定求连接起构成完整电路集成电路具体积重量轻性高性稳定等优点特规模超规模集成电路出现电子设备微型化性灵活性方面前推进步
74 集成电路常见封装形式
BGA(ball grid array)球栅阵列(封装) 见图二
QFP(quad flat package)四面鸥翼型脚(封装) 见图
SOIC(small outline integrated circuit) 两面鸥翼型脚(封装) 见图五
PLCC(plastic leaded chip carrier)四边勾型脚(封装) 见图三
SOJ(small outline junction) 两边勾型脚(封装) 见图四
图 图二
图三 图四
图五
75集成电路脚位判
1 BGA封装（坐标表示）：点颜色标示处逆时针开始数英文字母表示－ABCDE……(中IO基)时针数字表示－123456……中字母位横坐标数字坐标 ：A1A2
2 封装：点凹槽颜色标示处逆时针开始数第脚第二脚第三脚……
76 集成电路常检测方法线测量法非线测量法代换法
1．非线测量 非线测量潮集成电路未焊入电路时通测量引脚间直流电阻值已知正常型号集成电路引脚间直流电阻值进行确定否正常
2．线测量 线测量法利电压测量法电阻测量法电流测量法等通电路测量集成电路引脚电压值电阻值电流值否正常判断该集成电路否损坏
3．代换法 代换法已知完型号规格集成电路代换测集成电路判断出该集成电路否损坏
第八节 SocketSlot
81 SocketSlot异 Socket种插座封装形式种矩型插座(见图六) Slot种插槽封装形式种长方形插槽(图七)
图六
图七
第九节 PCB简介
91 PCB英文缩写PCB(Printed Circuit Board)
92 PCB作PCB作块基板装载电子元器件载体块PCB设计坏直接影响产品质量坏
93 PCB分类常见规格根层数分单面板双面板层板机板常4层板者6层板显示卡8层板
机板尺寸AT规格机板尺寸般13X12(单位英寸)ATX机板尺寸般12X96(单位英寸)Micro Atx机板尺寸般96X96(单位英寸) 注明1英寸254CM
第十节 晶振
101晶振线路中符号＂X＂Y
102晶振名词解释产生具定幅度频率波形振荡器
103晶振线路图中表示符号
104晶振测量方法
测量电阻方法万表RX10K档测量石英晶体振荡器正反电阻值正常时应穷测石英晶体振荡器定阻值零说明该石英晶体振荡器已漏电击穿损坏
动态测量方法波器电路工作时测量实际振荡频否符合该晶体额定振荡频率果说明该晶振正常果该晶体额定振荡频率偏低偏高根起振表明该晶振已漏电击穿损坏
第十节 基逻辑门电路
11 门电路概念：
实现基常逻辑运算电子电路逻辑门电路实现运算门实现运算门实现非运算非门做反相器等等（逻辑1表示高电逻辑0表示低电）
112 门：
逻辑表达式 F＝A B
输入端AB均1时输出端Y1然Y0门常芯片型号74LS0874LS09等
113 门： 逻辑表达式 F＝A+ B
输入端AB1时输出端Y1输入端AB均0时Y会O门常芯片型号74LS32等
114．非门 逻辑表达式 FA
输出端总输入端相反非门常芯片型号74LS0474LS0574LS0674LS14等
115．非门 逻辑表达式 FAB
输入端AB均1时输出端Y0然Y1非门常芯片型号74LS0074LS0374S3174LS132等
116．非门： 逻辑表达式 FA+B
输入端AB中1时输出端Y0输入端AB均0时Y会1非门常见芯片型号74LS02等
117．门 逻辑表达式FA B+A B
1
A
F
B
118异门：逻辑表达式FA B+A B
1
A
F
B
119非门：逻辑表逻辑表达式FAB+CD
≥1
A
B＆
C F
D
1110RS触发器：
电路结构
两非门G1G2输入输出端交叉连接构成基RS触发器逻辑电路图721(a)示两输入端RS两输出端QQ
工作原理
基RS触发器逻辑方程：
根述两式子四种输入输出关系
1R1S0时Q0Q1触发器置1 2R0S1时Q1Q0触发器置0
述触发器两输入端加入逻辑电时两输出端QQ两种互补稳定状态般规定触发器Q端状态作触发器状态通常称触发器处某种状态实际指Q端状态Q1Q0时称触发器处1态反触发器处0态S0R1触发器置1称置位置位决定条件S0称S 端置1端R0S1时触发器置0称复位
理称R端置0端复位端触发器原1态欲变0态必须令R端电1变0S端电0变1里加输入信号（低电）称触发信号导致转换程称翻转里触发信号电种触发器称电控制触发器功方面SR作置0置1称置0置1触发器称置位复位触发器逻辑符号图721(b)示置0置1触发信号低电效S端R端画圆圈
3RS1时触发器状态保持变
触发器保持状态时输入端加非效电（高电）需触发翻转时求某输入端加负脉例S端加负脉触发器置1该脉信号回高电触发器维持1状态变相S端某时刻电信号存储起体现触发器具记忆功
4RS0时触发器状态确定
条件两非门输出端QQ全1两输入信号时撤（回1）两非门延迟时间法确定触发器状态确定10称种情况定状态种情况应避免外角度说正R端S端完成置0置1低电效二者时0
外非门输入输出端交叉连接构成置0置1触发器逻辑图逻辑符号分图722（a）722（b）示种触发器触发信号高电效逻辑符号S端R端没圆圈
2特征方程
基RS触发器特性：
1基RS触发器具置位复位保持（记忆）功
2基RS触发器触发信号低电效属电触发方式
3基RS触发器存约束条件（R+S1）两非门延迟时间法确定RS0时导致状态确定
4输入信号发生变化时输出刻会发生相应变化抗干扰性较差
第十二节 TTL逻辑门电路
双极型半导体基元件集成块硅片具定逻辑功电路称双极型逻辑集成电路简称TTL逻辑门电路称TransistorTransistor LogicBJTBJT逻辑门电路数字电子技术中常种逻辑门电路应较早技术已较成熟TTLBJT（Bipolar Junction Transistor 双极结型晶体晶体三极）电阻构成具速度快特点早TTL门电路74系列出现74H系列74L系列74LS74AS74ALS等系列TTL功耗等缺点正逐渐CMOS电路取代
12．1 CMOS逻辑门电路
CMOS逻辑门电路TTL电路问世 开发出第二种广泛应数字集成器件发展趋势制造工艺改进CMOS电路性超越TTL成占导位逻辑器件 CMOS电路工作速度TTL相较功耗抗干扰力远优TTL外超规模存储器件 PLD器件采CMOS艺制造费较低
早期生产CMOS门电路4000系列 发展4000B系列前TTL兼容CMO器件74HCT系列等TTL器件交换面首先讨CMOS反相器然介绍CMO逻辑门电路
MOS结构图
MOS参数：
1开启电压VT
·开启电压（称阈值电压）：源极S漏极D间开始形成导电沟道需栅极电压
·标准N沟道MOSVT约3～6V
·通工艺改进MOSVT值降2～3V
2 直流输入电阻RGS
·栅源极间加电压栅极电流
·特性时流栅极栅流表示
·MOSRGS容易超1010Ω
3 漏源击穿电压BVDS
·VGS0（增强型）条件 增加漏源电压程中ID开始剧增时VDS称漏源击穿电压BVDS
·ID剧增原列两方面：
（1）漏极附耗层雪崩击穿
（2）漏源极间穿通击穿
·MOS中沟道长度较短断增加VDS会漏区耗层直扩展源区沟道长度零产生漏源间穿通穿通
源区中数载流子直接受耗层电场吸引达漏区产生ID
4 栅源击穿电压BVGS
·增加栅源电压程中栅极电流IG零开始剧增时VGS称栅源击穿电压BVGS
5 低频跨导gm
·VDS某固定数值条件 漏极电流微变量引起变化栅源电压微变量称跨导
·gm反映栅源电压漏极电流控制力
·表征MOS放力重参数
·般十分mAV范围
6 导通电阻RON
·导通电阻RON说明VDSID影响 漏极特性某点切线斜率倒数
·饱区IDVDS改变RON数值 般十千欧百千欧间
·数字电路中 MOS导通时常工作VDS0状态时导通电阻RON原点RON似
·般MOS言RON数值百欧
7 极间电容
·三电极间存着极间电容：栅源电容CGS 栅漏电容CGD漏源电容CDS
·CGSCGD约1～3pF
·CDS约01～1pF间
8 低频噪声系数NF
·噪声子部载流子运动规性引起
·存放器便没信号输时输 出端出现规电压电流变化
·噪声性通常噪声系数NF表示单位分贝（dB）
·数值越代表子产生噪声越
·低频噪声系数低频范围测出噪声系数
·场效应噪声系数约分贝双极性三极
第十三节 单元电路
13．1 CMOS反相器
书模拟部分已知MOSFETP沟道N沟道两种种中耗型增强型两类N沟道P沟道两种MOSFET组成电路称互补MOSCMOS电路
图表示CMOS反相器电路两增强型MOSFET组成中N沟道结构P沟道结构电路正常工作求电源电压VDD两子开启电压绝值
VDD＞(VTN＋|VTP|)
1工作原理
首先考虑两种极限情况：vI处逻辑0时 相应电压似0VvI处逻辑1时相应电压似VDD假设两种情况N沟道 TN工作P沟道TP负载电路互补称种假设意相反情况导致相结果
图分析vIVDD时工作情况TN输出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSNvO) 叠加条负载线负载TP vSGP0V时输出特性iD－vSDvSGP＜VT（VTN|VTP|VT）负载曲线条横轴重合水线两条曲线交点工作点显然时输出电压vOL≈0V（典型值＜10mV 通两电流接零说电路功耗（微瓦量级）
图分析种极限情况时应vI＝0V时工作TNvGSN＝0情况运输出特性iD－vDS横轴重合 负载曲线负载TPvsGP＝VDD时输出特性iD－vDS图知工作点决定VO＝VOH≈VDD通两器件电流接零值 见述两种极限情况功耗低
知基CMOS反相器似理想逻辑单元输出电压接零+VDD功耗零
2传输特性
图CMOS反相器传输特性图图中VDD10VVTN|VTP|VT
2V VDD＞（VTN＋|VTP|）VDD|VTP|>vI>VTN 时TNTP两时导通考虑电路互补称器件器件视漏极负载应注意器件放区（饱区）呈现恒流特性两器件作高阻值负载渡区域传输特性变化较急剧两VIVDD2处转换状态
3工作速度
CMOS反相器电容负载情况开通时间关闭时间相等电路具互补称性质图表示vI0V时 TN截止TP导通VDD通TP负载电容CL充电情况CMOS反相器中两gm值均设计较导通电阻较充电回路时间常数较类似分析电容CL放电程CMOS反相器均传输延迟时间约10ns
132CMOS逻辑门电路
1非门电路
图2输入端CMOS非门电路中包括两串联N沟道增强型MOS两联P沟道增强型MOS输入端连N沟道P沟道MOS栅极输入端AB中低电时会相连NMOS截止相连PMOS导通输出高电仅AB全高电时会两串联NMOS导通两联PMOS截止输出低电
种电路具非逻辑功
n输入端非门必须nNMOS串联nPMOS联
2非门电路
图2输入端CMOS非门电路中包括两联N沟道增强型MOS两串联P沟道增强型MOS
输入端AB中高电时会相连NMOS导通相连PMOS截止输出低电仅AB全低电时两联NMOS截止两串联PMOS导通输出高电
种电路具非逻辑功逻辑表达式
显然n输入端非门必须nNMOS联nPMOS联
较CMOS非门非门知非门工作彼串联输出电压子数增加增加非门相反工作彼联输出电压致明显影响非门较
13．3异门电路
图CMOS异门电路级非门级非门组成非门输出非门输出L输入AB异
异门面增加级反相器构成异非门具功称门异成门门逻辑符号图示
13．4 BiCMOS门电路
双极型CMOSBiCMOS特点利双极型器件速度快MOSFET功耗低两方面优势种逻辑门电路受户重视
1BiCMOS反相器
图表示基BiCMOS反相器电路清楚起见MOSFET符号M表示BJTT表示T1T2构成推拉式输出级MpMNM1M2组成输入级基CMOS反相器相似输入信号vI时作MPMN栅极vI高电压时MN导通MP截止vI低电压时情况相反Mp导通MN截止输出端接类BiCMOS门电路时输出级提供足够电流电容性负载充电理已充电电容负载迅速通T2放电
述电路中T1T2基区存储电荷通M1M2释放加快
电路开关速度vI高电压时M1导通T1基区存储电荷迅速消散种作TTL门电路输入级中T1类似理 vI低电压时电源电压VDD通MP激励M2M2导通显然T2基区存储电荷通M2消散见门电路开关速度改善
2BiCMOS门电路
根前述CMOS门电路结构工作原理样BiCMOS技术实现非门非门果实现非逻辑关系输入信号驱动联N沟道MOSFETP沟道MOSFET彼串联正图示
2输入端非门
AB均低电时两MOSFET MPAMPB均导通T1导通MNAMNB均截止输出L高电时M1通MPAMpBVDD激励T2基区存储电荷提供条释放通路
方面两输入端AB中高电时 MpAMpB通路断开MNAMNB导通输出端低电时M1AM1BT1基极存储电荷提供条释放道路 输入端接高电输出低电
13．5CMOS传输门
MOSFET输出特性原点附呈线性称关系常作模拟开关模拟开关广泛取样——保持电路斩波电路模数数模转换电路等面着重介绍CMOS传输门
谓传输门（TG）种传输模拟信号模拟开关CMOS传输门P沟道N沟道增强型MOSFET联成图示TPTN结构称器件漏极源极互换设开启电压|V
T|2V输入模拟信号变化范围5V+5V 衬底漏源极间PN结时刻致正偏 TP衬底接+5V电压TN衬底接5V电压 两栅极互补信号电压（+5V5V）控制分Ｃ表示
传输门工作情况：C端接低电压5V时TN栅压5VvI取5V+5V范围意值时TN均导通时TP栅压+5V
TP导通见C端接低电压时开关断开
开关接通C端接高电压+5V时TN栅压+5V vI5V+3V范围TN导通时TP棚压5V vI3V+5V范围TP导通
分析知vI＜3V时仅TN导通vI＞+3V时仅TP导通vI3V+3V范围TNTP两均导通进步分析
导通程度愈深导通程度相应减换句话说导通电阻减导通电阻增加两系联运行似认开关导通电阻似常数CMOS传输出门优点
正常工作时模拟开关导通电阻值约数百欧输入阻抗兆欧级运放串接时忽略计
CMOS传输门作传输模拟信号开关外作种逻辑电路基单元电路
13．6 整流电路
桥式整流电路
13．7滤波电路
(a) C型滤波电路 (b) 倒L型滤波电路 (c) Ⅱ型滤波电路
图1
（3）种常见桥式整流滤波电路：
A 电容滤波电路：
B电感滤波电路
13．8．反馈电路
1．正反馈：指反馈回信号增强输入信号（常振荡电路）
负反馈：指反馈回信号削弱原输入信号（放电路）
2．判正负反馈方法——瞬时极性法
瞬时极性法判断正反馈负反馈放器输入端基极施加信号电压VI设某瞬时该信号极性正信号(+)表示三极V集电极倒相变负信号()表示发射极基极相位(+)信号级放器瞬时极性次类推假设瞬时反馈电阻RF反馈信号输入信号加强正反馈输入信号削弱负反馈
4． 负反馈放电路四种类型：
A电压串联负反馈 B 电压联负反馈
C电流串联负反馈 D电流联负反馈
13．9 放电路
三种基组态放电路图：
发射极放电路
基极放电路 集电极放电路
注意：放电路发射极时AiAu较输出电压输入电压相位相反基极时Ai较Au较输出电压输入电压相具关系作输入级输出级起隔离作中间级集电极时Ai较Au较输出电压输入电压相宽频带放等
级放电电路：级放器中级间串联起级输入电阻前级负载级放器总电压放倍数等级放倍数积Ａu＝Ａu1Ａu2……Ａun
注意：反馈信号取输出电压信号称电压反馈反馈信号取输出电流信号称电流反馈（通常采负载电阻短路方法判电压反馈电流反馈具体方法：负载电阻 R L 短路果反馈作消失电压反馈果反馈作存电流反馈 ）
反馈信号输入信号基放电路输入端电压串联形式迭加称串联反馈反馈信号输入信号基放电路输入端电流联形式迭加称联反馈
13．10．振荡电路
1电感三点式振荡器
考虑L1L2间互感电路振荡频率似表示
2电容三点式振荡器
振荡频率：
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第节电阻器
11 电阻器含义电路中电流阻碍作造成量消耗部分电阻
12 电阻器英文缩写：R（Resistor） 排阻RN
13 电阻器电路符号： R WWW
14 电阻器常见单位千欧姆（KΩ） 兆欧姆（MΩ）
15 电阻器单位换算 1兆欧103千欧106欧
16 电阻器特性：电阻线性原件电阻两端电压流电阻电流成正通段导体电流强度段导体电阻成反欧姆定律：IUR
表 17 电阻作分流限流分压偏置滤波（电容器组合）阻抗匹配等
18 电阻器电路中R加数字表示：R15表示编号15电阻器
19 电阻器电路中参数标注方法3种直标法色标法数标法
a直标法电阻器标称值数字文字符号直接标电阻体允许偏差百分数表示未标偏差值±20
b数码标示法贴片等体积电路三数码中左右第二位数表示效数字第三位表示10倍幂者R表示(R表示0)：472 表示 47×102Ω（47KΩ） 104表示100KΩR22表示022Ω 1221200Ω12KΩ 140214000Ω14KΩ R22022Ω 50C324*100324KΩ17R8178Ω0000Ω 00Ω
c色环标注法普通色环电阻器4环表示精密电阻器5环表示紧电阻体端头色环第环露着电阻体色较端头末环现举例：
果色环电阻器四环表示前面两位数字效数字第三位10倍幂 第四环色环电阻器误差范围(见图)
四色环电阻器（普通电阻)
标称值第位效数字
标称值第二位效数字
标称值效数字0数(10倍幂)
允许误差
颜 色
第位效值
第二位效值
倍 率
允 许 偏 差
黑
0
0
棕
1
1
±1
红
2
2
±2
橙
3
3
黄
4
4
绿
5
5
±05
蓝
6
6
±025
紫
7
7
±01
灰
8
8
白
9
9
―20 ~ +50
金
5
银
10
色
20
图11 两位效数字阻值色环表示法
果色环电阻器五环表示前面三位数字效数字第四位10倍幂 第五环色环电阻器误差范围(见图二)
五色环电阻器（精密电阻）
标称值第位效数字
标称值第二位效数字
标称值第三位效数字
标称值效数字0数(10倍幂)
允许误差
颜色
第位效值
第二位效值
第三位效值
倍 率
允许偏差
黑
0
0
0
棕
1
1
1
1
红
2
2
2
2
橙
3
3
3
黄
4
4
4
绿
5
5
5
05
蓝
6
6
6
025
紫
7
7
7
01
灰
8
8
8
白
9
9
9
20～+50
金
±5
银
±10
图12 三位效数字阻值色环表示法
dSMT精密电阻表示法通常3位标示般2位数字1位字母表示两数字效数字字母表示10倍幂根实际情况精密电阻查询表里出查找面精密电阻查询表
代码
阻值
代码
阻值
代码
阻值
代码
阻值
代码
阻值
code
resiscane
code
resiscance
code
resiscance
code
resiscance
code
resiscance
1
100
21
162
41
261
61
422
81
681
2
102
22
165
42
267
62
432
82
698
3
105
23
169
43
274
63
442
83
715
4
107
24
174
44
280
64
453
84
732
5
110
25
178
45
287
65
464
85
750
6
113
26
182
46
294
66
475
86
768
7
115
27
187
47
301
67
487
87
787
8
118
28
191
48
309
68
499
88
806
9
121
29
0196
49
316
69
511
89
825
10
124
30
200
50
324
70
523
90
845
11
127
31
3205
51
332
71
536
91
866
12
130
32
210
52
340
72
549
92
887
13
133
33
215
53
348
73
562
93
909
14
137
34
221
54
357
74
576
94
931
15
140
35
226
55
365
75
590
94
981
16
143
36
232
56
374
76
604
95
953
17
147
37
237
57
383388
77
619
96
976
18
150
38
243
58
392
78
634
96
976
19
154
39
249
59
402
79
649
20
153
40
255
60
412
80
665
symbol
A
B
C
D
E
F
G
H
X
Y
Z
multipliers
100
101
102
103
104
105
106
107
101
102
103
110 SMT电阻尺寸表示：长宽表示（0201060308051206等具体02表示长002英寸宽001英寸）
111 般情况电阻电路中两种接法串联接法联接法
电阻计算：
R1
R1 R2
R2
串连： 联：
RR1+R2 R1R1+1R2
112 电阻串联计算方法：
串联：R总串R1+R2+R3+……Rn
联：1R总1R+2R+3R……1Rn
113 电阻器坏检测
a指针万表判定电阻坏首先选择测量档位倍率档旋钮置适档位般100欧姆电阻器选RX1档100欧姆1K欧姆电阻器选RX10档1K欧姆10K欧姆电阻器选RX100档10K100K欧姆电阻器选RX1K档100K欧姆电阻器选RX10K档
b测量档位选择确定万表电阻档进行校0 校0方法万表两表笔金属棒短接观察指针0位置果0位置调整调零旋钮表针指电阻刻度0位置
c接着万表 两表笔分电阻器两端相接表针应指相应阻值刻度果表针动指示稳定指示值电阻器标示值相差说明该电阻器已损坏
d数字万表判定电阻坏首先万表档位旋钮调欧姆档适档位般200欧姆电阻器选200档2002K欧姆电阻器选2K档2K20K欧姆选20K档20K200K欧姆电阻器选200K档200K200M欧姆电阻器选择2M欧姆档2M20M欧姆电阻器选择20M档20M欧姆电阻器选择200M档
第二节 电容器
21 电容器含义衡量导体储存电荷力物理量
22 电容器英文缩写C (capacitor)
23 电容器电路中表示符号 C CN(排容)
24 电容器常见单位 毫法（mF）微法（uF）纳法（nF）皮法（pF）
25 电容器单位换算 1法拉103毫法106微法109纳法1012皮法 1pf103nf106uf109mf1012f
26 电容作隔直流旁路耦合滤波补偿充放电储等
27 电容器特性 电容器容量表示贮存电电容交流信号阻碍作称容抗交流信号频率电容量关电容特性隔直流通交流通低频阻高频
28 电容器电路中般C加数字表示C25表示编号25电容
29 电容器识方法电阻识方法基相分直标法色标法数标法3种
a 直标法电容标称值数字单位电容体表示出：：220MF表示220UF01UF表示001UFR56UF表示056UF6n8表示6800PF
b 标单位数码表示法中位四位数表示效数字般PF电解电容容量UF3表示3PF2200表示2200PF0056表示0056UF
c 数字表示法般三数字表示容量前两位表示效数字第三位表示10倍幂102表示10*1021000PF224表示22*10402UF
d 色环色点表示电容器参数电容器色标法电阻相
电容器偏差标志符号：+1000H+10010R+5010T+3010Q+5020S+8020Z
210 电容分类根极性分极性电容极性电容常见电解电容极性正负极分
211 电容器性指标 电容器容量(储存电荷容量)耐压值(指额定温度范围电容长时间工作直流电压交流电压效值)耐温值(表示电容承受高工作温度)
212 电容器品牌 板电容分台系日系两种日系品牌：NICHICONRUBICONRUBYCON（红宝石）KZGSANYO（三洋）PANASONIC（松）NIPPONFUJITSU（富士通）等台系品牌：TAICONGLUXCONTEAPOCAPXONOSTGSCRLS等
电容器计算：
C1 c2
~~～
c1 c2
串连： 联：
1C1C1+1C2 CC1+C2
213 电容串联联计算公式
C串1C1C1+1C2+1C3++1CN
CCC1+C2+C3+……+CN
214 电容器坏测量
a脱离线路时检测
采万表Ｒ×１ｋ挡检测前先电解电容两根引脚相碰便放掉电容残余电荷表笔刚接通时表针右偏转角度然表针缓慢左回转表针停表针停指示阻值该电容漏电电阻阻值愈愈应接穷处果漏电电阻十千欧说明电解电容漏电严重表针右摆动角度越（表针应该左回摆）说明电解电容电容量越反说明容量越
b线路直接检测
检测电容器否已开路已击穿两种明显障漏电障受外电路影响般测准万表Ｒ×１挡电路断开先放掉残存电容器电荷测量时表针右偏转说明电解电容部断路果表针右偏转指示阻值（接短路）说明电容器严重漏电已击穿果表针右偏回转指示阻值说明电容器开路应脱开电路进步检测
c．线路通电状态时检测怀疑电解电容通电状态存击穿障电路通电然万表直流挡测量该电容器两端直流电压果电压低０Ｖ该电容器已击穿 电解电容正负极标志清楚必须先判出正负极换万表笔测两次漏电（电阻值）次准黑表笔接脚负极脚正极
第三节 电感器
31 电感器英文缩写：L (Inductance) 电路符号：
32 电感器国际标准单位 H(亨利)mH(毫亨)uH（微亨）nH（纳亨）
33 电感器单位换算 1H103m H＝106u H＝109n H1n H＝103u H106m H10 9H
34 电感器特性：通直流隔交流通低频阻高频
35 电感器作：滤波陷波振荡储存磁等
36 电感器分类空芯电感磁芯电感磁芯电感称铁芯电感铜芯电感等机板中常见铜芯绕线电感
37 电感电路中常L加数字表示：L6表示编号6电感电感线圈绝缘导线绝缘骨架绕定圈数制成直流通线圈直流电阻导线身电阻压降交流信号通线圈时线圈两端会产生感电动势感电动势方外加电压方相反阻碍交流通电感特性通直流阻交流频率越高线圈阻抗越电感电路中电容组成振荡电路电感般直标法色标法色标法电阻类似：棕黑金金表示1uH（误差5）电感
38 电感坏测量电感质量检测包括外观阻值测量首先检测电感外表完磁性缺损裂缝金属部分腐蚀氧化标志完整清晰接线断裂拆伤等万表电感作初步检测测线圈直流电阻原已知正常电阻值进行较果检测值正常值显著增指针动电感器体断路正常值许判断电感器体严重短路线圈局部短路需专仪器进行检测
第四节 半导体二极
41 英文缩写：D (Diode) 电路符号
42 半导体二极分类
分类：a 材质分：硅二极锗二极
b途分：整流二极检波二极稳压二极发光二极光电二极变容二极
稳压二极 发光二极 光电二极 变容二极
43 半导体二极电路中常D加数字表示：D5表示编号5半导体二极
44 半导体二极导通电压
a硅二极两极加电压电压06V时导通导通电压保持0608V间
B锗二极两极加电压电压02V时导通导通电压保持0203V间
45 半导体二极特性单导电性正电压作导通电阻反电压作导通电阻极穷
46 半导体二极分整流检波发光光电变容等作
47 半导体二极识方法：
a目视法判断半导体二极极性般实物电路图中通眼睛直接出半导体二极正负极实物中果端颜色标示负极外端正极
b万表(指针表)判断半导体二极极性通常选万表欧姆档(R﹡100R﹡1K)然分万表两表笔分出接二极两极出二极导通测阻值较(般十欧姆千欧姆间)时黑表笔接二极正极红表笔接二极负极测阻值(般百千欧姆)时黑表笔接二极负极红表笔接二极正极
c测试注意事项：数字式万表测二极时红表笔接二极正极黑表笔接二极负极时测阻值二极正导通阻值指针式万表表笔接法刚相反
48 变容二极根普通二极部 PN结 结电容外加反电压变化变化原理专门设计出种特殊二极变容二极绳电话机中手机座机高频调制电路实现低频信号调制高频信号发射出工作状态变容二极调制电压般加负极变容二极部结电容容量调制电压变化变化
变容二极发生障表现漏电性变差：
（1）发生漏电现象时高频调制电路工作调制性变差
（2）变容性变差时高频调制电路工作稳定调制高频信号发送方方接收产生失真
出现述情况时应该更换型号变容二极
49 稳压二极基知识
a稳压二极稳压原理：稳压二极特点击穿两端电压基保持变样稳压接入电路电源电压发生波动原造成电路中点电压变动时负载两端电压基保持变
b障特点：稳压二极障表现开路短路稳压值稳定3种障中前种障表现出电源电压升高2种障表现电源电压变低零伏输出稳定
c 常稳压二极型号稳压值表：
型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761
稳压值 33V 36V 39V 47V 51V 56V 62V 15V 27V 30V 75V
410 半导体二极伏安特性：二极基特性单导电性（注：硅导通电压06－08V锗导通电压02－03V）工程分析时通常采07V
411 半导体二极伏安特性曲线：（通二极电流Ｉ两端电压Ｕ关系曲线二极伏安特性曲线）见图三
图三 硅锗伏安特性曲线
412 半导体二极坏判万表(指针表)R﹡100R﹡1K档测量二极正反电阻求1K左右反电阻应100K总正电阻越越反电阻越越正电阻穷说明二极部断路反电阻零表明二极击穿部断开击穿二极均
第五节 半导体三极
51 半导体三极英文缩写：QT
52 半导体三极电路中常Q加数字表示：Q17表示编号17三极
53半导体三极特点：半导体三极（简称晶体）部含2PN结具放力特殊器件分NPN型PNP型两种类型两种类型三极工作特性互相弥补谓OTL电路中PNP型NPN型配
材料分 分硅锗国目前生产硅NPN型锗PNP型
`E(发射极) C(集电极) E(发射极) C(集电极)
B(基极)
B(基极)
NPN型三极 PNP型三极
54 半导体三极放条件实现放作必须三极加合适电压子发射结必须具备正偏压集电极必须反偏压三极放必须具备外部条件
55 半导体三极参数
a 电流放系数：三极电流分配规律IeIb+Ic基极电流Ib变化集电极电流Ic发生更变化基极电流Ib微变化控制集电极电流较三极电流放原理βΔIcΔIb
b极间反电流集电极基极反饱电流
c极限参数：反击穿电压集电极允许电流集电极允许功率损耗
56半导体三极具三种工作状态放饱截止模拟电路中般放作饱截止状态般合数字电路中
a半导体三极三种基放电路
射极放电路
集电极放电路
基极放电路
电路形式
直流通道
静态工作点
交流通道
微变等效电路
ri
Rbrbe
ro
RC
RC
途
级放电路中间级
输入输出级缓级
高频电路恒流源电路
b三极三种放电路区判断放电路中通交流信号传输路径判断没交流信号通极极公极
注：交流信号基极输入集电极输出发射极公极
交流信号基极输入发射极输出集电极公极
交流信号发射极输入集电极输出基极公极
57 万表判断半导体三极极性类型(指针式万表)
a先选量程：R﹡100R﹡1K档位
b判半导体三极基极：
万表黑表笔固定三极某电极红表笔分接半导体三极外两电极观察指针偏转两次测量阻值改脚接基极（两次阻值NPN型两次阻值PNP型）两次测量阻值黑笔重新固定半导体三极引脚极继续测量直找基极
c判半导体三极c极e极：
确定基极NPN万表两表笔接三极外两极交测量两次两次测量结果相等中测阻值较次黑笔接e极红笔接c极（PNP型黑红表笔接电极相反）
d 判半导体三极类型
果已知某半导体三极基极红表笔接基极黑表笔分测量外两电极引脚果测电阻值该三极NPN型半导体三极果 测量电阻值该三极PNP型半导体三极
58 现常见三极部分塑封准确判断三极三引脚bce？三极b极容易测出断定ce？
a 里推荐三种方法：第种方法：测三极hFE插孔指针表先测出b极三极意插插孔中（然b极插准确）测hFE值
b然子倒测遍测hFE值较次脚插入位置正确第二种方法：hFE测量插孔表子太方便插入插孔种方法：NPN先测出b极（子NPNPNPb脚容易测出吧？）表置R×1kΩ档红表笔接假设e极（注意红表笔手碰表笔尖脚）黑表笔接假设c极时手指捏住表笔尖脚子起舌尖舔b极表头指针应定偏转果表笔接正确指针偏转会果接指针偏转会差明显判定子ce极PNP黑表笔接假设e极（手碰笔尖脚）红表笔接假设c极时手指捏住表笔尖脚然舌尖舔b极果表笔接正确表头指针会偏转较然测量时表笔交换测两次较读数判定方法适外形三极方便实根表针偏转幅度估计出子放力然验
c第三种方法：先判定子NPNPNP类型b极表置R×10kΩ档NPN黑表笔接e极红表笔接c极时表针会定偏转PNP黑表笔接c极红表笔接e极时表针会定偏转反会偏转判定三极ce极高耐压子方法适
常见进口型号功率塑封c极基中间（没见b中间）中功率b极中间常9014三极系列型号三极2SC18152N54012N5551等三极b极中间然c极中间维修更换三极时尤功率三
极原样直接安定先测
59 半导体三极分类：a频率分：高频低频
b功率分：功率中功率功率
c机构分：PNPNPN
d材质分：硅锗
e功分：开关放
510 半导体三极特性：三极具放功（三极电流控制型器件－通基极电流发射极电流控制集电极电流子少子导电称双极型元件）
NPN型三极发射极特性曲线
IC(mA)
IB(mA) 80μA
4 饱
UCE0V 1V 放区 60μA
3 区
04 ΔIC ΔIB 40μA
2
02 20μA
1
0 04 06 08 UBE(V) IB0μA
截止区
输入特性曲线 0 2 4 6 8 UCE(V)
输出特性曲线
三极区工作条件：
1． 放区：发射结正偏集电结反偏：
2． 饱区：发射结正偏集电结正偏
3． 截止区：发射结反偏集电结反偏
511 半导体三极坏检测
a先选量程：R﹡100R﹡1K档位
b测量PNP型半导体三极发射极集电极正电阻值
红表笔接基极黑表笔接发射极测阻值发射极正电阻值黑表笔接集电极(红表笔动)测阻值便集电极正电阻值正电阻值愈愈
c测量PNP型半导体三极发射极集电极反电阻值
黑表笔接基极红表笔分接发射极集电极测阻值分发射极集电极反电阻反电阻愈愈
d测量NPN型半导体三极发射极集电极正电阻值方法测量PNP型半导体三极方法相反
第六节 场效应(MOS)
61场效应英文缩写：FET(Fieldeffect transistor)
62 场效应分类：结型场效应绝缘栅型场效应
63 场效应电路符号：
D D
G G
结型场效应
S S
N沟道 P沟道
64场效应三引脚分表示G(栅极)D(漏极)S(源极)
D D D D
G
G G G 绝缘栅型场效应
S S S
增强型 S 耗型
N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
注：场效应属电压控制型元件利子导电称单极型元件具输入电阻高噪声功耗低二次击穿现象等优点
65场效应晶体优点：具较高输入电阻高输入电流低零信号源吸取电流基极注入电流直接影响集电极电流利输出电流控制输出电源半导体
66场效应晶体较
（1）场效应电压控制元件晶体电流控制元件允许信号源取较少电流情况应选场效应信号电压较低允许信号源取较电流条件应选晶体
（2）场效应利数载流子导电称单极型器件晶体数载流子利少数载流子导电称双极型器件
（3）场效应源极漏极互换栅压正负灵活性晶体
（4）场效应电流低电压条件工作制造工艺方便场效应集成块硅片场效应
67 场效应坏极性判万表量程选择RX1K档黑表笔接D极红表笔接S极手时触GD极场效应应呈瞬时导通状态表针摆阻值较位置手触GS极 场效应应反应表针回零位置动时应判断出场效应
万表量程选择RX1K档分测量场效应三脚间电阻阻值某脚两脚间电阻值均穷时交换表笔穷时脚G极两脚S极D极然万表测量S极D极间电阻值次交换表笔测量次中阻值较次黑表笔接S极红表笔接D极
第七节 集成电路
71 集成电路英文缩写 IC(integrate circuit)
72 电路中表示符号 U
73集成电路优点集成电路块单晶硅光刻法制作出三极二极电阻电容特定求连接起构成完整电路集成电路具体积重量轻性高性稳定等优点特规模超规模集成电路出现电子设备微型化性灵活性方面前推进步
74 集成电路常见封装形式
BGA(ball grid array)球栅阵列(封装) 见图二
QFP(quad flat package)四面鸥翼型脚(封装) 见图
SOIC(small outline integrated circuit) 两面鸥翼型脚(封装) 见图五
PLCC(plastic leaded chip carrier)四边勾型脚(封装) 见图三
SOJ(small outline junction) 两边勾型脚(封装) 见图四
图 图二
图三 图四
图五
75集成电路脚位判
1 BGA封装（坐标表示）：点颜色标示处逆时针开始数英文字母表示－ABCDE……(中IO基)时针数字表示－123456……中字母位横坐标数字坐标 ：A1A2
2 封装：点凹槽颜色标示处逆时针开始数第脚第二脚第三脚……
76 集成电路常检测方法线测量法非线测量法代换法
1．非线测量 非线测量潮集成电路未焊入电路时通测量引脚间直流电阻值已知正常型号集成电路引脚间直流电阻值进行确定否正常
2．线测量 线测量法利电压测量法电阻测量法电流测量法等通电路测量集成电路引脚电压值电阻值电流值否正常判断该集成电路否损坏
3．代换法 代换法已知完型号规格集成电路代换测集成电路判断出该集成电路否损坏
第八节 SocketSlot
81 SocketSlot异 Socket种插座封装形式种矩型插座(见图六) Slot种插槽封装形式种长方形插槽(图七)
图六
图七
第九节 PCB简介
91 PCB英文缩写PCB(Printed Circuit Board)
92 PCB作PCB作块基板装载电子元器件载体块PCB设计坏直接影响产品质量坏
93 PCB分类常见规格根层数分单面板双面板层板机板常4层板者6层板显示卡8层板
机板尺寸AT规格机板尺寸般13X12(单位英寸)ATX机板尺寸般12X96(单位英寸)Micro Atx机板尺寸般96X96(单位英寸) 注明1英寸254CM
第十节 晶振
101晶振线路中符号＂X＂Y
102晶振名词解释产生具定幅度频率波形振荡器
103晶振线路图中表示符号
104晶振测量方法
测量电阻方法万表RX10K档测量石英晶体振荡器正反电阻值正常时应穷测石英晶体振荡器定阻值零说明该石英晶体振荡器已漏电击穿损坏
动态测量方法波器电路工作时测量实际振荡频否符合该晶体额定振荡频率果说明该晶振正常果该晶体额定振荡频率偏低偏高根起振表明该晶振已漏电击穿损坏
第十节 基逻辑门电路
11 门电路概念：
实现基常逻辑运算电子电路逻辑门电路实现运算门实现运算门实现非运算非门做反相器等等（逻辑1表示高电逻辑0表示低电）
112 门：
逻辑表达式 F＝A B
输入端AB均1时输出端Y1然Y0门常芯片型号74LS0874LS09等
113 门： 逻辑表达式 F＝A+ B
输入端AB1时输出端Y1输入端AB均0时Y会O门常芯片型号74LS32等
114．非门 逻辑表达式 FA
输出端总输入端相反非门常芯片型号74LS0474LS0574LS0674LS14等
115．非门 逻辑表达式 FAB
输入端AB均1时输出端Y0然Y1非门常芯片型号74LS0074LS0374S3174LS132等
116．非门： 逻辑表达式 FA+B
输入端AB中1时输出端Y0输入端AB均0时Y会1非门常见芯片型号74LS02等
117．门 逻辑表达式FA B+A B
1
A
F
B
118异门：逻辑表达式FA B+A B
1
A
F
B
119非门：逻辑表逻辑表达式FAB+CD
≥1
A
B＆
C F
D
1110RS触发器：
电路结构
两非门G1G2输入输出端交叉连接构成基RS触发器逻辑电路图721(a)示两输入端RS两输出端QQ
工作原理
基RS触发器逻辑方程：
根述两式子四种输入输出关系
1R1S0时Q0Q1触发器置1 2R0S1时Q1Q0触发器置0
述触发器两输入端加入逻辑电时两输出端QQ两种互补稳定状态般规定触发器Q端状态作触发器状态通常称触发器处某种状态实际指Q端状态Q1Q0时称触发器处1态反触发器处0态S0R1触发器置1称置位置位决定条件S0称S 端置1端R0S1时触发器置0称复位
理称R端置0端复位端触发器原1态欲变0态必须令R端电1变0S端电0变1里加输入信号（低电）称触发信号导致转换程称翻转里触发信号电种触发器称电控制触发器功方面SR作置0置1称置0置1触发器称置位复位触发器逻辑符号图721(b)示置0置1触发信号低电效S端R端画圆圈
3RS1时触发器状态保持变
触发器保持状态时输入端加非效电（高电）需触发翻转时求某输入端加负脉例S端加负脉触发器置1该脉信号回高电触发器维持1状态变相S端某时刻电信号存储起体现触发器具记忆功
4RS0时触发器状态确定
条件两非门输出端QQ全1两输入信号时撤（回1）两非门延迟时间法确定触发器状态确定10称种情况定状态种情况应避免外角度说正R端S端完成置0置1低电效二者时0
外非门输入输出端交叉连接构成置0置1触发器逻辑图逻辑符号分图722（a）722（b）示种触发器触发信号高电效逻辑符号S端R端没圆圈
2特征方程
基RS触发器特性：
1基RS触发器具置位复位保持（记忆）功
2基RS触发器触发信号低电效属电触发方式
3基RS触发器存约束条件（R+S1）两非门延迟时间法确定RS0时导致状态确定
4输入信号发生变化时输出刻会发生相应变化抗干扰性较差
第十二节 TTL逻辑门电路
双极型半导体基元件集成块硅片具定逻辑功电路称双极型逻辑集成电路简称TTL逻辑门电路称TransistorTransistor LogicBJTBJT逻辑门电路数字电子技术中常种逻辑门电路应较早技术已较成熟TTLBJT（Bipolar Junction Transistor 双极结型晶体晶体三极）电阻构成具速度快特点早TTL门电路74系列出现74H系列74L系列74LS74AS74ALS等系列TTL功耗等缺点正逐渐CMOS电路取代
12．1 CMOS逻辑门电路
CMOS逻辑门电路TTL电路问世 开发出第二种广泛应数字集成器件发展趋势制造工艺改进CMOS电路性超越TTL成占导位逻辑器件 CMOS电路工作速度TTL相较功耗抗干扰力远优TTL外超规模存储器件 PLD器件采CMOS艺制造费较低
早期生产CMOS门电路4000系列 发展4000B系列前TTL兼容CMO器件74HCT系列等TTL器件交换面首先讨CMOS反相器然介绍CMO逻辑门电路
MOS结构图
MOS参数：
1开启电压VT
·开启电压（称阈值电压）：源极S漏极D间开始形成导电沟道需栅极电压
·标准N沟道MOSVT约3～6V
·通工艺改进MOSVT值降2～3V
2 直流输入电阻RGS
·栅源极间加电压栅极电流
·特性时流栅极栅流表示
·MOSRGS容易超1010Ω
3 漏源击穿电压BVDS
·VGS0（增强型）条件 增加漏源电压程中ID开始剧增时VDS称漏源击穿电压BVDS
·ID剧增原列两方面：
（1）漏极附耗层雪崩击穿
（2）漏源极间穿通击穿
·MOS中沟道长度较短断增加VDS会漏区耗层直扩展源区沟道长度零产生漏源间穿通穿通
源区中数载流子直接受耗层电场吸引达漏区产生ID
4 栅源击穿电压BVGS
·增加栅源电压程中栅极电流IG零开始剧增时VGS称栅源击穿电压BVGS
5 低频跨导gm
·VDS某固定数值条件 漏极电流微变量引起变化栅源电压微变量称跨导
·gm反映栅源电压漏极电流控制力
·表征MOS放力重参数
·般十分mAV范围
6 导通电阻RON
·导通电阻RON说明VDSID影响 漏极特性某点切线斜率倒数
·饱区IDVDS改变RON数值 般十千欧百千欧间
·数字电路中 MOS导通时常工作VDS0状态时导通电阻RON原点RON似
·般MOS言RON数值百欧
7 极间电容
·三电极间存着极间电容：栅源电容CGS 栅漏电容CGD漏源电容CDS
·CGSCGD约1～3pF
·CDS约01～1pF间
8 低频噪声系数NF
·噪声子部载流子运动规性引起
·存放器便没信号输时输 出端出现规电压电流变化
·噪声性通常噪声系数NF表示单位分贝（dB）
·数值越代表子产生噪声越
·低频噪声系数低频范围测出噪声系数
·场效应噪声系数约分贝双极性三极
第十三节 单元电路
13．1 CMOS反相器
书模拟部分已知MOSFETP沟道N沟道两种种中耗型增强型两类N沟道P沟道两种MOSFET组成电路称互补MOSCMOS电路
图表示CMOS反相器电路两增强型MOSFET组成中N沟道结构P沟道结构电路正常工作求电源电压VDD两子开启电压绝值
VDD＞(VTN＋|VTP|)
1工作原理
首先考虑两种极限情况：vI处逻辑0时 相应电压似0VvI处逻辑1时相应电压似VDD假设两种情况N沟道 TN工作P沟道TP负载电路互补称种假设意相反情况导致相结果
图分析vIVDD时工作情况TN输出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSNvO) 叠加条负载线负载TP vSGP0V时输出特性iD－vSDvSGP＜VT（VTN|VTP|VT）负载曲线条横轴重合水线两条曲线交点工作点显然时输出电压vOL≈0V（典型值＜10mV 通两电流接零说电路功耗（微瓦量级）
图分析种极限情况时应vI＝0V时工作TNvGSN＝0情况运输出特性iD－vDS横轴重合 负载曲线负载TPvsGP＝VDD时输出特性iD－vDS图知工作点决定VO＝VOH≈VDD通两器件电流接零值 见述两种极限情况功耗低
知基CMOS反相器似理想逻辑单元输出电压接零+VDD功耗零
2传输特性
图CMOS反相器传输特性图图中VDD10VVTN|VTP|VT
2V VDD＞（VTN＋|VTP|）VDD|VTP|>vI>VTN 时TNTP两时导通考虑电路互补称器件器件视漏极负载应注意器件放区（饱区）呈现恒流特性两器件作高阻值负载渡区域传输特性变化较急剧两VIVDD2处转换状态
3工作速度
CMOS反相器电容负载情况开通时间关闭时间相等电路具互补称性质图表示vI0V时 TN截止TP导通VDD通TP负载电容CL充电情况CMOS反相器中两gm值均设计较导通电阻较充电回路时间常数较类似分析电容CL放电程CMOS反相器均传输延迟时间约10ns
132CMOS逻辑门电路
1非门电路
图2输入端CMOS非门电路中包括两串联N沟道增强型MOS两联P沟道增强型MOS输入端连N沟道P沟道MOS栅极输入端AB中低电时会相连NMOS截止相连PMOS导通输出高电仅AB全高电时会两串联NMOS导通两联PMOS截止输出低电
种电路具非逻辑功
n输入端非门必须nNMOS串联nPMOS联
2非门电路
图2输入端CMOS非门电路中包括两联N沟道增强型MOS两串联P沟道增强型MOS
输入端AB中高电时会相连NMOS导通相连PMOS截止输出低电仅AB全低电时两联NMOS截止两串联PMOS导通输出高电
种电路具非逻辑功逻辑表达式
显然n输入端非门必须nNMOS联nPMOS联
较CMOS非门非门知非门工作彼串联输出电压子数增加增加非门相反工作彼联输出电压致明显影响非门较
13．3异门电路
图CMOS异门电路级非门级非门组成非门输出非门输出L输入AB异
异门面增加级反相器构成异非门具功称门异成门门逻辑符号图示
13．4 BiCMOS门电路
双极型CMOSBiCMOS特点利双极型器件速度快MOSFET功耗低两方面优势种逻辑门电路受户重视
1BiCMOS反相器
图表示基BiCMOS反相器电路清楚起见MOSFET符号M表示BJTT表示T1T2构成推拉式输出级MpMNM1M2组成输入级基CMOS反相器相似输入信号vI时作MPMN栅极vI高电压时MN导通MP截止vI低电压时情况相反Mp导通MN截止输出端接类BiCMOS门电路时输出级提供足够电流电容性负载充电理已充电电容负载迅速通T2放电
述电路中T1T2基区存储电荷通M1M2释放加快
电路开关速度vI高电压时M1导通T1基区存储电荷迅速消散种作TTL门电路输入级中T1类似理 vI低电压时电源电压VDD通MP激励M2M2导通显然T2基区存储电荷通M2消散见门电路开关速度改善
2BiCMOS门电路
根前述CMOS门电路结构工作原理样BiCMOS技术实现非门非门果实现非逻辑关系输入信号驱动联N沟道MOSFETP沟道MOSFET彼串联正图示
2输入端非门
AB均低电时两MOSFET MPAMPB均导通T1导通MNAMNB均截止输出L高电时M1通MPAMpBVDD激励T2基区存储电荷提供条释放通路
方面两输入端AB中高电时 MpAMpB通路断开MNAMNB导通输出端低电时M1AM1BT1基极存储电荷提供条释放道路 输入端接高电输出低电
13．5CMOS传输门
MOSFET输出特性原点附呈线性称关系常作模拟开关模拟开关广泛取样——保持电路斩波电路模数数模转换电路等面着重介绍CMOS传输门
谓传输门（TG）种传输模拟信号模拟开关CMOS传输门P沟道N沟道增强型MOSFET联成图示TPTN结构称器件漏极源极互换设开启电压|V
T|2V输入模拟信号变化范围5V+5V 衬底漏源极间PN结时刻致正偏 TP衬底接+5V电压TN衬底接5V电压 两栅极互补信号电压（+5V5V）控制分Ｃ表示
传输门工作情况：C端接低电压5V时TN栅压5VvI取5V+5V范围意值时TN均导通时TP栅压+5V
TP导通见C端接低电压时开关断开
开关接通C端接高电压+5V时TN栅压+5V vI5V+3V范围TN导通时TP棚压5V vI3V+5V范围TP导通
分析知vI＜3V时仅TN导通vI＞+3V时仅TP导通vI3V+3V范围TNTP两均导通进步分析
导通程度愈深导通程度相应减换句话说导通电阻减导通电阻增加两系联运行似认开关导通电阻似常数CMOS传输出门优点
正常工作时模拟开关导通电阻值约数百欧输入阻抗兆欧级运放串接时忽略计
CMOS传输门作传输模拟信号开关外作种逻辑电路基单元电路
13．6 整流电路
桥式整流电路
13．7滤波电路
(a) C型滤波电路 (b) 倒L型滤波电路 (c) Ⅱ型滤波电路
图1
（3）种常见桥式整流滤波电路：
A 电容滤波电路：
B电感滤波电路
13．8．反馈电路
1．正反馈：指反馈回信号增强输入信号（常振荡电路）
负反馈：指反馈回信号削弱原输入信号（放电路）
2．判正负反馈方法——瞬时极性法
瞬时极性法判断正反馈负反馈放器输入端基极施加信号电压VI设某瞬时该信号极性正信号(+)表示三极V集电极倒相变负信号()表示发射极基极相位(+)信号级放器瞬时极性次类推假设瞬时反馈电阻RF反馈信号输入信号加强正反馈输入信号削弱负反馈
4． 负反馈放电路四种类型：
A电压串联负反馈 B 电压联负反馈
C电流串联负反馈 D电流联负反馈
13．9 放电路
三种基组态放电路图：
发射极放电路
基极放电路 集电极放电路
注意：放电路发射极时AiAu较输出电压输入电压相位相反基极时Ai较Au较输出电压输入电压相具关系作输入级输出级起隔离作中间级集电极时Ai较Au较输出电压输入电压相宽频带放等
级放电电路：级放器中级间串联起级输入电阻前级负载级放器总电压放倍数等级放倍数积Ａu＝Ａu1Ａu2……Ａun
注意：反馈信号取输出电压信号称电压反馈反馈信号取输出电流信号称电流反馈（通常采负载电阻短路方法判电压反馈电流反馈具体方法：负载电阻 R L 短路果反馈作消失电压反馈果反馈作存电流反馈 ）
反馈信号输入信号基放电路输入端电压串联形式迭加称串联反馈反馈信号输入信号基放电路输入端电流联形式迭加称联反馈
13．10．振荡电路
1电感三点式振荡器
考虑L1L2间互感电路振荡频率似表示
2电容三点式振荡器
振荡频率：
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