模拟电子技术基础试题汇总
选择题
1．温度升高时二极反饱电流 ( A )
A 增 B 减 C 变 D 等零
2 某三极电极电位图示判断该三极( D )
A 处放区域 B 处饱区域 C 处截止区域 D 已损坏
3 某放电路图示设VCC>>VBE LCEO≈0静态时该三极处( B )
A放区 B饱区 C截止区 D区域定
4 半导体二极重特性( B )
( A)温度稳定性 ( B)单导电性 ( C)放作 ( D)滤波特性
5 NPN型BJT组成单发射极放电路中静态工作点高容易产生
( B )失真
( A)截止失真 ( B)饱v失真 ( C)双失真 ( D)线性失真
6电路图示二极导通电压UD＝07V关输出电压说法正确( B )
A：uI13VuI203V时输出电压37V
B：uI13VuI203V时输出电压1V
C：uI13VuI23V时输出电压5V
D：uI103VuI203V时输出电压1V
7图中示某基射放电路输出特性曲线静态工作点Q2点移动Q3点
原
A：集电极电源+VCC电压变高 B：集电极负载电阻RC变高
C：基极电源+VBB电压变高 D：基极回路电阻Rb变高
8 直流负反馈指( C )
A 存RC耦合电路中负反馈 B 放直流信号时负反馈
C 直流通路中负反馈 D 存直接耦合电路中负反馈
9 负反馈抑制干扰噪声( B )
A 输入信号包含干扰噪声 B 反馈环干扰噪声
C 反馈环外干扰噪声 D 输出信号中干扰噪声
10 图示电路中A理想运放电路输出电压约( A )
A －25V B －5V C －65V D －75V
11 图示单端输出差放电路中输入电压△S180mV △S260mV差模输
入电压△id( B )
A 10mV B 20mV C 70mV D 140mV
12 高阻信号源低阻负载配合信号源低阻负载间接入
( C )
A 射电路 B 基电路
C 集电路 D 集基串联电路
13 考虑放电路频率失真时正弦波( D )
A 产生相位失真 B 产生幅度失真相位失真
C 定会产生非线性失真 D 会产生线性失真
14 工作电压较器中运放工作运算电路中运放区前者运
放通常工作( A )
A 开环正反馈状态 B 深度负反馈状态
C 放状态 D 线性工作状态
15 级负反馈放电路( A )情况容易引起激
A 回路增益 B 反馈系数太
C 闭环放倍数 D 放器级数少
16 LC正弦波振荡电路图19示该电路( D )
A 选频网络产生正弦波振荡
B 满足相位衡条件产生正弦波振荡
C 满足振荡条件产生正弦波振荡
D 放器正常工作产生正弦波振荡
图19 图110
17 图110示电路出现障测量知VE0VCVCC障原( D )
A Rc开路 B Rc短路 C Re短路 D Rb1开路
18 甲类功率放方式较乙类OCL互补称功率放方式优点( C )
A 输出变压器 B 输出端电容
C 效率高 D 交越失真
19 模抑制KCMR越表明电路( C )
A 放倍数越稳定 B 交流放倍数越
C 抑制温漂力越强 D 输入信号中差模成分越
20 级放电路组成单级放电路相通频带( B )
A 变宽 B 变窄 C 变 D 单级放电路关
21 双端输入双端输出差分放电路图示已知静态时VoVc1－Vc２＝０设差模
电压增益模电压增益输出电压
( D )
A 125mV B 1000 mV C 250 mV D 500 mV
22 图示复合假设分表示T1T2单工作时穿透电流
复合穿透电流( D )
A B
C D
23 某仪表放电路求Ri输出电流稳定应选( A )
A 电流串联负反馈 B 电压联负反馈
C 电流联负反馈 D 电压串联负反馈
24 级放电路组成单级放电路相通频带( B )
( A)变宽 ( B)变窄 ( C)变 ( D)单级放电路关
25 电流源电路特点输出电流恒定交流等效电阻( D )
( A)等零 ( B)直流等效电阻
( C)等直流等效电阻 ( D)远远直流等效电阻
26 放电路产生零点漂移原( A )
( A)采直接耦合方式 ( B)采阻容耦合方式
( C)采正负双电源供电 ( D)增益太
27 二阶压控电压源低通源滤波器通带外幅频响应曲线斜率( D )
( A)20dB十倍频程 ( B)20dB十倍频程
( C)40dB十倍频程 ( D)40dB十倍频程
28 信号频率低100Hz时应采( A )滤波电路
( A)低通 ( B)高通 ( C)带通 ( D)带阻
29 输入量变情况引入反馈( C )说明引入反馈正反馈
Ａ 输入电阻增 Ｂ 输出电阻增
Ｃ 净输入量增 Ｄ 净输入量减
30求放电路取信号源电流输出电压基负载变化变化放
电路中应引入负反馈类型( B )
A 电流串联 B 电压串联
C 电流联 D 电压联
31果二极直接电动势15V阻0电池正连接该
( C )
A击穿 B电流0
C电流子烧坏 D正常导通
32 差分放器左输入电压+100mV右输入300mV模输入 ( B )
A100mV B100mV C200mV D200mV
33 电流串联负反馈电路放参量 ( D )
A电压放倍数 B电流放倍数
C转移电阻 D转移电导
34 场效应起放作时应工作漏极特性 ( A )
A 恒流区 B 变电阻区 C 夹断区 D 击穿区
35 直接耦合放电路存零点漂移原 ( C )
A 电阻阻值误差 B 晶体参数分散性
C 晶体参数受温度影响 D 受输入信号变化影响
36 差动放电路特点 ( A )
A 效放差模信号力抑制模信号
B 放差模信号放模信号
C效放模信号力抑制差模信号
D 抑制差模信号抑制模信号
37 互补输出级采射极输出方式 ( D )
A 电压放倍数高 B 输出电流
C 输出电阻增 D 带负载力强
38 集成运放电路采直接耦合方式 ( C )
A 获较高增益 B 温漂变
C 集成工艺中难制造电容 D 增输入电阻
39 输入量变情况引入反馈( B )说明引入负反馈
A输入电阻增 B净输入量减 C 净输入量增 D输出量增
40 RC桥式正弦波振荡电路中满足相位起振条件时中电压放电路放倍
数必须满足( D )起振
A AV 1 B AV 3 C AV ＜ 3 D AV ＞3
41． 滞回较器2门限电压输入电压足够低逐渐增足够高程中
输出状态发生( A )次跃变
A 1 B 2 C 3 D 0
42．利石英晶体电抗频率特性构成振荡器 ( B )
A． f＝fs时石英晶体呈感性构成串联型晶体振荡器
B． f＝fs时石英晶体呈阻性构成串联型晶体振荡器
C． fsD． fs
二填空题
1．温度升高时三极列参数变化趋势：电流放系数 增 反
饱电流ICBO 增 IB变时发射结正电压VBE 减
2．某差动放电路输入信号 该差动放电路差模信号
30 mV 5 mV果该差动放电路差模增益100倍模
增益10倍输出电压 3050 mV
3 某放电路数幅频特性图示图知该电路中频电压增益 100
倍限截止频率fH 2×106 Hz限截止频率fL 20 Hz
4 串联负反馈信号源阻 时反馈效果显著联负反馈
信号源阻 时反馈效果显著
5 图16中电路交流反馈类型极性( 反馈组态)分：图( a) 电流串联负
反馈图( b) 电流联负 反馈图( c) 电压联负 反馈
6 试决定列情况应选滤波器类型信号频率低500Hz时宜选 低
通 滤波器希抑制50Hz交流电源干扰时宜选 带阻 滤波器
希抑制1kHz信号时宜选 高通 滤波器
7．饱失真截止失真属 非线性 失真幅频失真相频失真属 线性 失真
8．负反馈采样求方式四种类型分 电压串联负反馈 电流串联
负反馈 电压联负反馈 电流联负反馈
9．正弦波振荡电路起振条件
10．避免产生交越失真互补推挽功率放电路般工作 甲乙类 类
状态
11．理想运放工作线性区时两特点分 虚短
虚断
12．串联型石英晶体振荡电路中晶体等效 L
联型石英晶体振荡电路中晶体等效 R
13．放器输入电阻反映放器 信号源索取电流 输出电阻反映出
放器 带负载力 力
14 场效应称单极型晶体 场效应仅数载流子导电
15 晶体三极输出特性分三区域三极工作 饱 区时
16 场效应分 绝缘栅 型场效应结型场效应两种类型
17 晶体构成单放电路三种基接法中 基 基放电路放
电压放电流
18 绘制电子放电路直流通路时电路中出现 电容 视开路 电感
视短路信号源视短路应保留阻
19 电流源电路模拟集成电路基单元电路特点 电流变化 动态输出
电阻 具温度补偿作常作放电路源负载放电路提供
稳定 直流偏置
20 晶体利 基 极电流控制 集电 极电流实现放半导体器件
21 放电路交流通路研究 放电路动态参数
22 判断放电路中引入反馈电压反馈电流反馈通常令输出电压零
反馈否然存输出电压置零反馈复存 电压反馈
23 仅存放电路交流通路中反馈称 交流反馈
24 通集成运放电路 输入级 中间级 输出级偏置电路四部分组成
25 果集成运放某输入端瞬时极性正时输出端瞬时极性正该输入端
相输入端否该输入端 反 相输入端
26 差分放电路差模放倍数模放倍数 差模放倍数 越越
模放倍数 越越
27 保证PNP型三极工作放区求三极UBE < 0 UBC > 0
28 三种组态基放电路中 射 组态时电压电流放作 集
组态信号索取电流带负载力强
29 集成运放输入级采 差动放 电路输出级通常采 甲乙类互补 电
路
30 已知某差动放电路差模电压放倍数Ad100模抑制KCMR60dB
模信号放倍数AC 01
31 稳定电路输出信号电路应采 负 反馈产生正弦波信号电路
应采 正 反馈
32 直流负反馈作 稳定静态工作点
33 模拟运算电路时集成运算放器工作 线性 区较器电路中集成
运算放器工作 非线性 区
34 甲类乙类甲乙类三种功率放电路中效率低 甲类 失真
甲乙类
35 滞回较器单限较器相具 抗干扰力强 特点
36 理想运放工作线性区时两特点 虚短 虚断
37 正弦波振荡电路般四部分组成放电路 反馈网络 选频网络
稳幅环节
38 单相半波整流电路单相全波单相桥式整流电路利二极具
单导电性 交流电压变换单脉电压
39 频率稳定度高正弦波信号应采 石英晶体 振荡电路
40 射－基组合电路中射电路限频率 基电路限频率
组合电路限频率取决 射 电路
41 负反馈系统产生激条件相应振幅条件相位
条件
42 放器级间耦合方式三种： 直接 耦合 阻容 耦合 变压器 耦合集成
电路中通常采 直接 耦合
43 差分放器基特点放 差模信号 抑制 模信号
44 乙类推挽放器失真 交越失真 消失真应改 甲乙 类推
挽放器
45．某三极基电流放系数射电流放系数 49
该三极处放区时果基极电流20uA集电极电流 098 mA发
射极电流 1 mA
46 稳定放电路直流分量应该引入 直流 负反馈稳定电路输出
交流电压应该引入 电压 负反馈提高电路输入电阻应该引入 串联
负反馈
47 某差动放电路输入信号 该差动放电路差模信
号 30 mV 5 mV果该差动放电路差模增益100倍
模增益10倍输出电压 3050 mV
48．抑制1000Hz信号应选 高通 滤波器抑制50Hz交流电源
干扰应选 帶阻 滤波器
49 模拟运算电路时集成运算放器工作 线性 区较器电路中集成
运算放器工作 非线性 区
50．理想电压型集成运算放器参数： 0 0
51．二极显著特性 单导电性 硅二极正导通时两端电压
07 V
52．场效应属 电压 控制器件场效应结构分成 结型 绝缘栅型
两类型
53．绝缘栅型场效应分 增强型 耗型 两者区 耗型原始沟道增
强型没原始沟道
54．希减放电路信号源索取电流应采取 交流串联负 反馈希取
较强反馈作信号源阻应采 交流联负 反馈负载变
化时希输出电流稳定应采 交流电流负 反馈
三判断题
1P型半导体中果掺入足够量五价元素改型N型半导体 ( √ )
2处放状态晶体集电极电流子扩散运动形成 ( × )
3放电路放信号功率称放作 ( √ )
4阻容耦合级放电路耦合电容适合放频率低信号
( √ )
5放电路放倍数正引入反馈定正反馈 ( × )
6 N型半导体子电子带负电 ( × )
7 放象变化量输入信号直流信号时放电路输出毫变化 ( × )
8 放电路放倍数负引入反馈定负反馈 ( × )
9 电路产生激振荡条件：幅度条件相位条件(n012…) ( √ )
10二极稳压电路般稳压二极(反接法)负载联 ( √ )
11功率放电路务负载提供足够输出功率采微变效法分析
( × )
12 三极工作放区条件外加直流电源极性应三极发射结正
偏置集电极反偏置 ( √ )
13 硅二极开启电压05V左右锗二极01V左右 ( √ )
14 运算电路中集成运放反相输入端均虚 ( × )
15 功率放电路输出功率指基失真情况负载获
交流功率 ( × )
16 外加反电压PN结中耗层宽度变宽 ( √ )
17 二极外加反电压增加定值时反电流急剧增加( 反击穿)二极
工作反击穿区 ( × )
18．H参数中hie基极—发射极间直流输入电阻 ( × )
19．场效应利种子导电受温度影响 ( √ )
20．设反馈系数F电流负反馈时放器输入阻抗升1+倍 ( √ )
21．振荡器具较稳定振荡原振荡系统中具选频网络 ( √ )
22．全波整流电路4整流流整流电流负载电流四分
( × )
23．射放电路输出电压底部失真饱失真 ( × )
24．放电路放倍数负引入反馈定负反馈 ( × )
25．负反馈放电路放倍数组成基放电路放倍数量纲相
( √ )
26．运算电路中集成运放反相输入端均虚( × )
27 运算电路利虚短虚断概念求解运算关系 ( √ )
28 电路引入正反馈定会产生正弦波振荡( × )
29 运算电路中相输入端反相输入端均虚 ( × )
30 电压负反馈稳定输出电压电流负反馈稳定输出电流 ( √ )
31 输入量减反馈负反馈否正反馈 ( × )
32 产生零点漂移原晶体参数受温度影响 ( √ )
33 利两NPN型构成复合等效NPN型 ( √ )
34 征半导体温度升高两种载流子浓度然相等 ( √ )
35 未加外部电压时PN结中电流P区流N区 ( × )
36 集成运放开环情况定工作非线性区 ( √ )
37 引入正反馈电路会产生正弦波振荡 ( × )
38 直流稳压电源中滤波电路低通滤波电路 ( √ )
39 稳定振荡器中晶体三极静态工作点利提高频率稳定度( √ )
40 工作点合适晶体放器会输出信号波形产生失真( × )
41 放电路增益增通频带宽度减 ( √ )
42 差动(差分)放器电压增益仅输出方式(单端双端)关输入方式关
( √ )
43 输出电压稳定稳压电源输出电阻应愈愈( × )
三分析计算题
1．测三极静态时三电极电位图21 abc示试判断分工作什状态( 饱放载止倒置)设三极二极均硅
图21
解答：1．T1截止T2倒置T3饱
1．图示三极电极测电压数中分析类型电路中处工作状态
（1） 锗硅？
（2） NPN型PNP型？
（3） 处放截止饱状态中种？已损坏？（指出结已坏烧断短路？）
提示：注意放区硅锗>07V处饱区时
解： (a) NPN硅工作饱状态
(b) PNP锗工作放状态
(c) PNP锗子be结已开路
(d) NPN硅工作放状态
(e) PNP锗工作截止状态
(f) PNP锗工作放状态
(g) NPN硅工作放状态
(h) PNP硅工作界饱状态
十二极电路图示设二极均理想二极vs10sinωt（V）
（1）画出负载RL两端电压vo波形
（2）D3开路试重画vo波形
（3）D3短路会出现什现象？
（3）D3短路输入电压正半周电源短路烧坏电源
2．射放电路图示
( 1)试确定电路静态工作点( 写出IBQICQVCEQ表达式)
( 2)画出该放器信号等效电路
( 3)画出该放器输入电阻输出电阻电压增益A源电压增益A表达式( 设电容容抗忽略计)
( 4)直流电压表测量时出现VCEQ≈0VVCEQ≈24V说明三极工作什状态？
( 5)示波器观察端波形时出现图b示情况种失真？应消？
( 6)想改善放器低频特性采什方法？
( a) ( b)
解答：( 1)
( 2)
( 3)
( 4)
( 5)
( 6)
五判断图示电路反馈极性交直流反馈（两级放电路需判断级间反馈）
解：（a）R3A2引入交直流负反馈 （b）R6引入交直流负反馈
（c）R2引入交直流正反馈 （d）R2C引入交流负反馈
六试分判断图示电路中反馈类型
解：（a）交直流联电流负反馈
（b）交直流串联电流负反馈
（c）交直流串联电压负反馈
（d）R1 R2 交直流联电压负反馈 R4R5 交直流串联电压负反馈
2实验电路图8(a)示示波器( 已校准)X轴扫描档位025msdiv输入输出信号应通道Y轴档位分10mVdiv1Vdiv图8(b)甲学做实验时双踪示波器观测输入信号ui( )输出信号uo( )图8(c)乙学做实验时双踪示波器观测输入信号ui( )输出信号uo( )
( 1)甲乙两学学实验电路参数调整合理？根该学观察波形求输入信号频率f电压放倍数( 6分)
( 2)电路参数调整合理学观察输出波形出现种失真？调整消种失真？( 4分)
(a) (b) (c)
解：
（1） 甲学电路参数调整合理( 6分)
图知：
信号频率
( 2)电路参数调整合理学乙学观察输出波形发生饱失真调整增消该失真( 4分)
三电路图示晶体b＝60
（1）求解Q点
（2）画出微变等效电路求RiRo
（3）设Us＝10mV（效值）求UIUOC3开路求UIUO RiRo
解：（1）Q点：
（2）微变等效电路：
（3）设US＝10mV（效值）
C3开路
18．图示电路 中VBE06Vrbb’100试求：
( 1)静态工作点
( 2)中频段
( 3)输入电阻Ri输出电阻Ro
( 4)中频段
解答：
(1)
(2)
(3)
(4)
四双电源互补称功率放电路图示设已知UCC12VRL16ΩuI正弦波求：
(1)三极饱压降UCES忽略计条件负载输出功率Pom(2)子允许耗PTm少应少 (3)子耐压｜U(BR)CEO｜应少
解：(1) 负载输出电压幅度Uom12V
)
(2) ∴PCM≥09W
(3)
1．电路图示中R110kΩ R2 R3 R451kΩ
试求：
（1）输入电阻Ri
（2）vovi间例系数
（3）衡电阻
解：(1) RiR110kΩ
(2)
(3)
22(题满分9分)
设图22示电路中A1A2A3均理想运放
(1) A1A2A3分组成种基运算电路
(2)列出o1o2o3表达式
图22
解答： (1) A1——相例运算电路
A2——反相求电路
A3——差分运算电路(减法电路)
(2)
3( 题10分)
已知分求图(a)图(b)中输出电压
(a) (b)
解：( a)
( 5分)
( b)
( 5分)
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选择题
1．温度升高时二极反饱电流 ( A )
A 增 B 减 C 变 D 等零
2 某三极电极电位图示判断该三极( D )
A 处放区域 B 处饱区域 C 处截止区域 D 已损坏
3 某放电路图示设VCC>>VBE LCEO≈0静态时该三极处( B )
A放区 B饱区 C截止区 D区域定
4 半导体二极重特性( B )
( A)温度稳定性 ( B)单导电性 ( C)放作 ( D)滤波特性
5 NPN型BJT组成单发射极放电路中静态工作点高容易产生
( B )失真
( A)截止失真 ( B)饱v失真 ( C)双失真 ( D)线性失真
6电路图示二极导通电压UD＝07V关输出电压说法正确( B )
A：uI13VuI203V时输出电压37V
B：uI13VuI203V时输出电压1V
C：uI13VuI23V时输出电压5V
D：uI103VuI203V时输出电压1V
7图中示某基射放电路输出特性曲线静态工作点Q2点移动Q3点
原
A：集电极电源+VCC电压变高 B：集电极负载电阻RC变高
C：基极电源+VBB电压变高 D：基极回路电阻Rb变高
8 直流负反馈指( C )
A 存RC耦合电路中负反馈 B 放直流信号时负反馈
C 直流通路中负反馈 D 存直接耦合电路中负反馈
9 负反馈抑制干扰噪声( B )
A 输入信号包含干扰噪声 B 反馈环干扰噪声
C 反馈环外干扰噪声 D 输出信号中干扰噪声
10 图示电路中A理想运放电路输出电压约( A )
A －25V B －5V C －65V D －75V
11 图示单端输出差放电路中输入电压△S180mV △S260mV差模输
入电压△id( B )
A 10mV B 20mV C 70mV D 140mV
12 高阻信号源低阻负载配合信号源低阻负载间接入
( C )
A 射电路 B 基电路
C 集电路 D 集基串联电路
13 考虑放电路频率失真时正弦波( D )
A 产生相位失真 B 产生幅度失真相位失真
C 定会产生非线性失真 D 会产生线性失真
14 工作电压较器中运放工作运算电路中运放区前者运
放通常工作( A )
A 开环正反馈状态 B 深度负反馈状态
C 放状态 D 线性工作状态
15 级负反馈放电路( A )情况容易引起激
A 回路增益 B 反馈系数太
C 闭环放倍数 D 放器级数少
16 LC正弦波振荡电路图19示该电路( D )
A 选频网络产生正弦波振荡
B 满足相位衡条件产生正弦波振荡
C 满足振荡条件产生正弦波振荡
D 放器正常工作产生正弦波振荡
图19 图110
17 图110示电路出现障测量知VE0VCVCC障原( D )
A Rc开路 B Rc短路 C Re短路 D Rb1开路
18 甲类功率放方式较乙类OCL互补称功率放方式优点( C )
A 输出变压器 B 输出端电容
C 效率高 D 交越失真
19 模抑制KCMR越表明电路( C )
A 放倍数越稳定 B 交流放倍数越
C 抑制温漂力越强 D 输入信号中差模成分越
20 级放电路组成单级放电路相通频带( B )
A 变宽 B 变窄 C 变 D 单级放电路关
21 双端输入双端输出差分放电路图示已知静态时VoVc1－Vc２＝０设差模
电压增益模电压增益输出电压
( D )
A 125mV B 1000 mV C 250 mV D 500 mV
22 图示复合假设分表示T1T2单工作时穿透电流
复合穿透电流( D )
A B
C D
23 某仪表放电路求Ri输出电流稳定应选( A )
A 电流串联负反馈 B 电压联负反馈
C 电流联负反馈 D 电压串联负反馈
24 级放电路组成单级放电路相通频带( B )
( A)变宽 ( B)变窄 ( C)变 ( D)单级放电路关
25 电流源电路特点输出电流恒定交流等效电阻( D )
( A)等零 ( B)直流等效电阻
( C)等直流等效电阻 ( D)远远直流等效电阻
26 放电路产生零点漂移原( A )
( A)采直接耦合方式 ( B)采阻容耦合方式
( C)采正负双电源供电 ( D)增益太
27 二阶压控电压源低通源滤波器通带外幅频响应曲线斜率( D )
( A)20dB十倍频程 ( B)20dB十倍频程
( C)40dB十倍频程 ( D)40dB十倍频程
28 信号频率低100Hz时应采( A )滤波电路
( A)低通 ( B)高通 ( C)带通 ( D)带阻
29 输入量变情况引入反馈( C )说明引入反馈正反馈
Ａ 输入电阻增 Ｂ 输出电阻增
Ｃ 净输入量增 Ｄ 净输入量减
30求放电路取信号源电流输出电压基负载变化变化放
电路中应引入负反馈类型( B )
A 电流串联 B 电压串联
C 电流联 D 电压联
31果二极直接电动势15V阻0电池正连接该
( C )
A击穿 B电流0
C电流子烧坏 D正常导通
32 差分放器左输入电压+100mV右输入300mV模输入 ( B )
A100mV B100mV C200mV D200mV
33 电流串联负反馈电路放参量 ( D )
A电压放倍数 B电流放倍数
C转移电阻 D转移电导
34 场效应起放作时应工作漏极特性 ( A )
A 恒流区 B 变电阻区 C 夹断区 D 击穿区
35 直接耦合放电路存零点漂移原 ( C )
A 电阻阻值误差 B 晶体参数分散性
C 晶体参数受温度影响 D 受输入信号变化影响
36 差动放电路特点 ( A )
A 效放差模信号力抑制模信号
B 放差模信号放模信号
C效放模信号力抑制差模信号
D 抑制差模信号抑制模信号
37 互补输出级采射极输出方式 ( D )
A 电压放倍数高 B 输出电流
C 输出电阻增 D 带负载力强
38 集成运放电路采直接耦合方式 ( C )
A 获较高增益 B 温漂变
C 集成工艺中难制造电容 D 增输入电阻
39 输入量变情况引入反馈( B )说明引入负反馈
A输入电阻增 B净输入量减 C 净输入量增 D输出量增
40 RC桥式正弦波振荡电路中满足相位起振条件时中电压放电路放倍
数必须满足( D )起振
A AV 1 B AV 3 C AV ＜ 3 D AV ＞3
41． 滞回较器2门限电压输入电压足够低逐渐增足够高程中
输出状态发生( A )次跃变
A 1 B 2 C 3 D 0
42．利石英晶体电抗频率特性构成振荡器 ( B )
A． f＝fs时石英晶体呈感性构成串联型晶体振荡器
B． f＝fs时石英晶体呈阻性构成串联型晶体振荡器
C． fs
二填空题
1．温度升高时三极列参数变化趋势：电流放系数 增 反
饱电流ICBO 增 IB变时发射结正电压VBE 减
2．某差动放电路输入信号 该差动放电路差模信号
30 mV 5 mV果该差动放电路差模增益100倍模
增益10倍输出电压 3050 mV
3 某放电路数幅频特性图示图知该电路中频电压增益 100
倍限截止频率fH 2×106 Hz限截止频率fL 20 Hz
4 串联负反馈信号源阻 时反馈效果显著联负反馈
信号源阻 时反馈效果显著
5 图16中电路交流反馈类型极性( 反馈组态)分：图( a) 电流串联负
反馈图( b) 电流联负 反馈图( c) 电压联负 反馈
6 试决定列情况应选滤波器类型信号频率低500Hz时宜选 低
通 滤波器希抑制50Hz交流电源干扰时宜选 带阻 滤波器
希抑制1kHz信号时宜选 高通 滤波器
7．饱失真截止失真属 非线性 失真幅频失真相频失真属 线性 失真
8．负反馈采样求方式四种类型分 电压串联负反馈 电流串联
负反馈 电压联负反馈 电流联负反馈
9．正弦波振荡电路起振条件
10．避免产生交越失真互补推挽功率放电路般工作 甲乙类 类
状态
11．理想运放工作线性区时两特点分 虚短
虚断
12．串联型石英晶体振荡电路中晶体等效 L
联型石英晶体振荡电路中晶体等效 R
13．放器输入电阻反映放器 信号源索取电流 输出电阻反映出
放器 带负载力 力
14 场效应称单极型晶体 场效应仅数载流子导电
15 晶体三极输出特性分三区域三极工作 饱 区时
16 场效应分 绝缘栅 型场效应结型场效应两种类型
17 晶体构成单放电路三种基接法中 基 基放电路放
电压放电流
18 绘制电子放电路直流通路时电路中出现 电容 视开路 电感
视短路信号源视短路应保留阻
19 电流源电路模拟集成电路基单元电路特点 电流变化 动态输出
电阻 具温度补偿作常作放电路源负载放电路提供
稳定 直流偏置
20 晶体利 基 极电流控制 集电 极电流实现放半导体器件
21 放电路交流通路研究 放电路动态参数
22 判断放电路中引入反馈电压反馈电流反馈通常令输出电压零
反馈否然存输出电压置零反馈复存 电压反馈
23 仅存放电路交流通路中反馈称 交流反馈
24 通集成运放电路 输入级 中间级 输出级偏置电路四部分组成
25 果集成运放某输入端瞬时极性正时输出端瞬时极性正该输入端
相输入端否该输入端 反 相输入端
26 差分放电路差模放倍数模放倍数 差模放倍数 越越
模放倍数 越越
27 保证PNP型三极工作放区求三极UBE < 0 UBC > 0
28 三种组态基放电路中 射 组态时电压电流放作 集
组态信号索取电流带负载力强
29 集成运放输入级采 差动放 电路输出级通常采 甲乙类互补 电
路
30 已知某差动放电路差模电压放倍数Ad100模抑制KCMR60dB
模信号放倍数AC 01
31 稳定电路输出信号电路应采 负 反馈产生正弦波信号电路
应采 正 反馈
32 直流负反馈作 稳定静态工作点
33 模拟运算电路时集成运算放器工作 线性 区较器电路中集成
运算放器工作 非线性 区
34 甲类乙类甲乙类三种功率放电路中效率低 甲类 失真
甲乙类
35 滞回较器单限较器相具 抗干扰力强 特点
36 理想运放工作线性区时两特点 虚短 虚断
37 正弦波振荡电路般四部分组成放电路 反馈网络 选频网络
稳幅环节
38 单相半波整流电路单相全波单相桥式整流电路利二极具
单导电性 交流电压变换单脉电压
39 频率稳定度高正弦波信号应采 石英晶体 振荡电路
40 射－基组合电路中射电路限频率 基电路限频率
组合电路限频率取决 射 电路
41 负反馈系统产生激条件相应振幅条件相位
条件
42 放器级间耦合方式三种： 直接 耦合 阻容 耦合 变压器 耦合集成
电路中通常采 直接 耦合
43 差分放器基特点放 差模信号 抑制 模信号
44 乙类推挽放器失真 交越失真 消失真应改 甲乙 类推
挽放器
45．某三极基电流放系数射电流放系数 49
该三极处放区时果基极电流20uA集电极电流 098 mA发
射极电流 1 mA
46 稳定放电路直流分量应该引入 直流 负反馈稳定电路输出
交流电压应该引入 电压 负反馈提高电路输入电阻应该引入 串联
负反馈
47 某差动放电路输入信号 该差动放电路差模信
号 30 mV 5 mV果该差动放电路差模增益100倍
模增益10倍输出电压 3050 mV
48．抑制1000Hz信号应选 高通 滤波器抑制50Hz交流电源
干扰应选 帶阻 滤波器
49 模拟运算电路时集成运算放器工作 线性 区较器电路中集成
运算放器工作 非线性 区
50．理想电压型集成运算放器参数： 0 0
51．二极显著特性 单导电性 硅二极正导通时两端电压
07 V
52．场效应属 电压 控制器件场效应结构分成 结型 绝缘栅型
两类型
53．绝缘栅型场效应分 增强型 耗型 两者区 耗型原始沟道增
强型没原始沟道
54．希减放电路信号源索取电流应采取 交流串联负 反馈希取
较强反馈作信号源阻应采 交流联负 反馈负载变
化时希输出电流稳定应采 交流电流负 反馈
三判断题
1P型半导体中果掺入足够量五价元素改型N型半导体 ( √ )
2处放状态晶体集电极电流子扩散运动形成 ( × )
3放电路放信号功率称放作 ( √ )
4阻容耦合级放电路耦合电容适合放频率低信号
( √ )
5放电路放倍数正引入反馈定正反馈 ( × )
6 N型半导体子电子带负电 ( × )
7 放象变化量输入信号直流信号时放电路输出毫变化 ( × )
8 放电路放倍数负引入反馈定负反馈 ( × )
9 电路产生激振荡条件：幅度条件相位条件(n012…) ( √ )
10二极稳压电路般稳压二极(反接法)负载联 ( √ )
11功率放电路务负载提供足够输出功率采微变效法分析
( × )
12 三极工作放区条件外加直流电源极性应三极发射结正
偏置集电极反偏置 ( √ )
13 硅二极开启电压05V左右锗二极01V左右 ( √ )
14 运算电路中集成运放反相输入端均虚 ( × )
15 功率放电路输出功率指基失真情况负载获
交流功率 ( × )
16 外加反电压PN结中耗层宽度变宽 ( √ )
17 二极外加反电压增加定值时反电流急剧增加( 反击穿)二极
工作反击穿区 ( × )
18．H参数中hie基极—发射极间直流输入电阻 ( × )
19．场效应利种子导电受温度影响 ( √ )
20．设反馈系数F电流负反馈时放器输入阻抗升1+倍 ( √ )
21．振荡器具较稳定振荡原振荡系统中具选频网络 ( √ )
22．全波整流电路4整流流整流电流负载电流四分
( × )
23．射放电路输出电压底部失真饱失真 ( × )
24．放电路放倍数负引入反馈定负反馈 ( × )
25．负反馈放电路放倍数组成基放电路放倍数量纲相
( √ )
26．运算电路中集成运放反相输入端均虚( × )
27 运算电路利虚短虚断概念求解运算关系 ( √ )
28 电路引入正反馈定会产生正弦波振荡( × )
29 运算电路中相输入端反相输入端均虚 ( × )
30 电压负反馈稳定输出电压电流负反馈稳定输出电流 ( √ )
31 输入量减反馈负反馈否正反馈 ( × )
32 产生零点漂移原晶体参数受温度影响 ( √ )
33 利两NPN型构成复合等效NPN型 ( √ )
34 征半导体温度升高两种载流子浓度然相等 ( √ )
35 未加外部电压时PN结中电流P区流N区 ( × )
36 集成运放开环情况定工作非线性区 ( √ )
37 引入正反馈电路会产生正弦波振荡 ( × )
38 直流稳压电源中滤波电路低通滤波电路 ( √ )
39 稳定振荡器中晶体三极静态工作点利提高频率稳定度( √ )
40 工作点合适晶体放器会输出信号波形产生失真( × )
41 放电路增益增通频带宽度减 ( √ )
42 差动(差分)放器电压增益仅输出方式(单端双端)关输入方式关
( √ )
43 输出电压稳定稳压电源输出电阻应愈愈( × )
三分析计算题
1．测三极静态时三电极电位图21 abc示试判断分工作什状态( 饱放载止倒置)设三极二极均硅
图21
解答：1．T1截止T2倒置T3饱
1．图示三极电极测电压数中分析类型电路中处工作状态
（1） 锗硅？
（2） NPN型PNP型？
（3） 处放截止饱状态中种？已损坏？（指出结已坏烧断短路？）
提示：注意放区硅锗>07V处饱区时
解： (a) NPN硅工作饱状态
(b) PNP锗工作放状态
(c) PNP锗子be结已开路
(d) NPN硅工作放状态
(e) PNP锗工作截止状态
(f) PNP锗工作放状态
(g) NPN硅工作放状态
(h) PNP硅工作界饱状态
十二极电路图示设二极均理想二极vs10sinωt（V）
（1）画出负载RL两端电压vo波形
（2）D3开路试重画vo波形
（3）D3短路会出现什现象？
（3）D3短路输入电压正半周电源短路烧坏电源
2．射放电路图示
( 1)试确定电路静态工作点( 写出IBQICQVCEQ表达式)
( 2)画出该放器信号等效电路
( 3)画出该放器输入电阻输出电阻电压增益A源电压增益A表达式( 设电容容抗忽略计)
( 4)直流电压表测量时出现VCEQ≈0VVCEQ≈24V说明三极工作什状态？
( 5)示波器观察端波形时出现图b示情况种失真？应消？
( 6)想改善放器低频特性采什方法？
( a) ( b)
解答：( 1)
( 2)
( 3)
( 4)
( 5)
( 6)
五判断图示电路反馈极性交直流反馈（两级放电路需判断级间反馈）
解：（a）R3A2引入交直流负反馈 （b）R6引入交直流负反馈
（c）R2引入交直流正反馈 （d）R2C引入交流负反馈
六试分判断图示电路中反馈类型
解：（a）交直流联电流负反馈
（b）交直流串联电流负反馈
（c）交直流串联电压负反馈
（d）R1 R2 交直流联电压负反馈 R4R5 交直流串联电压负反馈
2实验电路图8(a)示示波器( 已校准)X轴扫描档位025msdiv输入输出信号应通道Y轴档位分10mVdiv1Vdiv图8(b)甲学做实验时双踪示波器观测输入信号ui( )输出信号uo( )图8(c)乙学做实验时双踪示波器观测输入信号ui( )输出信号uo( )
( 1)甲乙两学学实验电路参数调整合理？根该学观察波形求输入信号频率f电压放倍数( 6分)
( 2)电路参数调整合理学观察输出波形出现种失真？调整消种失真？( 4分)
(a) (b) (c)
解：
（1） 甲学电路参数调整合理( 6分)
图知：
信号频率
( 2)电路参数调整合理学乙学观察输出波形发生饱失真调整增消该失真( 4分)
三电路图示晶体b＝60
（1）求解Q点
（2）画出微变等效电路求RiRo
（3）设Us＝10mV（效值）求UIUOC3开路求UIUO RiRo
解：（1）Q点：
（2）微变等效电路：
（3）设US＝10mV（效值）
C3开路
18．图示电路 中VBE06Vrbb’100试求：
( 1)静态工作点
( 2)中频段
( 3)输入电阻Ri输出电阻Ro
( 4)中频段
解答：
(1)
(2)
(3)
(4)
四双电源互补称功率放电路图示设已知UCC12VRL16ΩuI正弦波求：
(1)三极饱压降UCES忽略计条件负载输出功率Pom(2)子允许耗PTm少应少 (3)子耐压｜U(BR)CEO｜应少
解：(1) 负载输出电压幅度Uom12V
)
(2) ∴PCM≥09W
(3)
1．电路图示中R110kΩ R2 R3 R451kΩ
试求：
（1）输入电阻Ri
（2）vovi间例系数
（3）衡电阻
解：(1) RiR110kΩ
(2)
(3)
22(题满分9分)
设图22示电路中A1A2A3均理想运放
(1) A1A2A3分组成种基运算电路
(2)列出o1o2o3表达式
图22
解答： (1) A1——相例运算电路
A2——反相求电路
A3——差分运算电路(减法电路)
(2)
3( 题10分)
已知分求图(a)图(b)中输出电压
(a) (b)
解：( a)
( 5分)
( b)
( 5分)
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