模拟电子技术复资料总结
第章 半导体二极
半导体基础知识
1半导体导电力介导体绝缘体间物质(硅Si锗Ge)
2特性光敏热敏掺杂特性
3征半导体纯净具单晶体结构半导体
4 两种载流子 带正负电荷移动空穴电子统称载流子
5杂质半导体征半导体中掺入微量杂质形成半导体体现半导体掺杂特性
*P型半导体 征半导体中掺入微量三价元素（子空穴少子电子）
*N型半导体 征半导体中掺入微量五价元素（子电子少子空穴）
6 杂质半导体特性
*载流子浓度子浓度决定杂质浓度少子浓度温度关
*体电阻通常杂质半导体身电阻称体电阻
*转型通改变掺杂浓度种杂质半导体改型外种杂质半导体
7 PN结
* PN结接触电位差硅材料约06~08V锗材料约02~03V
* PN结单导电性正偏导通反偏截止
8 PN结伏安特性
二 半导体二极
*单导电性正导通反截止
*二极伏安特性ＰＮ结
*正导通压降硅06~07V锗02~03V
*死区电压硅05V锗01V
3分析方法二极断开分析二极两端电位高低
V阳 >V阴( 正偏 )二极导通(短路)
V阳1）图解分析法
该式伏安特性曲线
交点静态工作点Q
2) 等效电路法
Ø 直流等效电路法
*总解题手段二极断开分析二极两端电位高低
V阳 >V阴( 正偏 )二极导通(短路)
V阳 *三种模型
Ø 微变等效电路法
三 稳压二极稳压电路
*稳压二极特性正常工作时处PN结反击穿区稳压二极电路中反连接
第二章 三极基放电路
三极结构类型特点
1类型分NPNPNP两种
2特点基区薄掺杂浓度低发射区掺杂浓度高基区接触
面积较集电区掺杂浓度较高基区接触面积较
二 三极工作原理
1 三极三种基组态
2 三极极电流分配
* 发射极电流放系数 (表明三极电流控制器件
式子 称穿透电流
3 射电路特性曲线
*输入特性曲线二极
* 输出特性曲线
(饱压降UCES表示
放区发射结正偏集电结反偏
截止区发射结反偏集电结反偏
4 温度影响
温度升高输入特性曲线左移动
温度升高ICBO ICEO ICβ均增加
三 低频信号等效模型（简化）
hie输出端交流短路时输入电阻
常rbe表示
hfe输出端交流短路时正电流传输
常β表示
四 基放电路组成原
1 VT VCC Rb Rc C1C2作
2组成原放失真传输
五 放电路图解分析法
1 直流通路静态分析
*概念直流电流通回路
*画法电容视开路
*作确定静态工作点
*直流负载线VCCICRC+UCE 确定直线
*电路参数静态工作点影响
1）改变Rb ：Q点直流负载线移动
2）改变Rc ：Q点IBQ条输出特性曲线移动
3）改变VCC：直流负载线移Q点发生移动
2 交流通路动态分析
*概念交流电流流通回路
*画法电容视短路理想直流电压源视短路
*作分析信号放程
*交流负载线 连接Q点V CC’点 V CC’ UCEQ+ICQR L’
直线
3 静态工作点非线性失真
（1）截止失真
*产生原Q点设置低
*失真现象NPN削顶PNP削底
*消方法减Rb提高Q
（2） 饱失真
*产生原Q点设置高
*失真现象NPN削底PNP削顶
*消方法增Rb减Rc增VCC
4 放器动态范围
（1） Uopp指放器失真输出电压峰峰值
（2）范围
*（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）时受截止失真限制UOPP2UOMAX2ICQRL’
*（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ ）时受饱失真限制UOPP2UOMAX2 （UCEQ－UCES）
*（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ ）放器失真输出电压
六 放电路等效电路法
1 静态分析
（1）静态工作点似估算
（2）Q点放区条件
欲Q点进入饱区应满足RB＞βRc
2 放电路动态分析
* 放倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
七 分压式稳定工作点射
放电路等效电路法
1．静态分析
2．动态分析
*电压放倍数
Re两端电解电容Ce
输入电阻
Re两端电解电容Ce
* 输出电阻
八 集电极基放电路
1．静态分析
2．动态分析
* 电压放倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
3 电路特点
* 电压放倍数正略1称射极器简称射器
* 输入电阻高输出电阻低
第三章 场效应基放电路
结型场效应（ JFET ）
1结构示意图电路符号
2 输出特性曲线
（变电阻区放区截止区击穿区）
转移特性曲线
UP 截止电压
二 绝缘栅型场效应（MOSFET）
分增强型（EMOS）耗型（DMOS）两种
结构示意图电路符号
2 特性曲线
*NEMOS输出特性曲线
* NEMOS转移特性曲线
式中IDOUGS2UT时应iD值
* NDMOS输出特性曲线
注意：uGS正零负转移特性曲线iD0处值夹断电压UP曲线表示式结型场效应致
三 场效应参数
1漏极饱电流IDSS
2夹断电压Up
3开启电压UT
4直流输入电阻RGS
5低频跨导gm (表明场效应电压控制器件)
四 场效应信号等效模型
EMOS 跨导gm
五 源极基放电路
1偏压式偏置放电路
* 静态分析
动态分析
带Cs
2分压式偏置放电路
* 静态分析
* 动态分析
源极带Cs
六漏极基放电路
* 静态分析
* 动态分析
第五章 功率放电路
功率放电路三种工作状态
1甲类工作状态
导通角360oICQ耗效率低
2乙类工作状态
ICQ≈0 导通角180o效率高失真
3甲乙类工作状态
导通角180o~360o效率较高失真较
二 乙类功放电路指标估算
1 工作状态
Ø 意状态：Uom≈Uim
Ø 限状态：UomVCCUCES
Ø 理想状态：Uom≈VCC
2 输出功率
3 直流电源提供均功率
4 耗 Pc1m02Pom
5效率
理想时785
三 甲乙类互补称功率放电路
1 问题提出
两交时出现波形失真——交越失真(质截止失真)
2 解决办法
Ø 甲乙类双电源互补称功率放器OCL利二极三极电阻压降产生偏置电压
动态指标乙类状态估算
Ø 甲乙类单电源互补称功率放器OTL电容 C2 静态电压VCC2取代OCL功放中负电源VCC
动态指标乙类状态估算VCC2代
四 复合组成特点
1 前子ce极跨接子bc极间
2 类型取决第子类型
3 ββ1·β 2
第六章 集成运算放电路
集成运放电路基组成
1输入级采差放电路减零漂
2中间级采射(源)放电路提高放倍数
3输出级采互补称电路提高带负载力
4偏置电路采电流源电路级提供合适静态电流
二 长尾差放电路原理特点
1 抑制零点漂移程
T↑→ iC1iC2↑→ iE1iE2 ↑→ uE↑→ uBE1uBE2↓→ iB1iB2↓→ iC1iC2↓
Re温度漂移种模信号强烈抑制作称模反馈电阻
2静态分析
1) 计算差放电路IC
设UB≈0UE－07V
2) 计算差放电路UCE
• 双端输出时
•
• 单端输出时(设VT1集电极接RL)
VT1：
VT2：
3 动态分析
1）差模电压放倍数
• 双端输出
•
• 单端输出时
VT1单端输出 ：
VT2单端输出 ：
2）差模输入电阻
3）差模输出电阻
• 双端输出：
• 单端输出
三 集成运放电压传输特性
uI+UimUim间运放工作线性区域 ：
四 理想集成运放参数分析方法
1 理想集成运放参数特征
* 开环电压放倍数 Aod→∞
* 差模输入电阻 Rid→∞
* 输出电阻 Ro→0
* 模抑制KCMR→∞
2 理想集成运放分析方法
1) 运放工作线性区
* 电路特征——引入负反馈
* 电路特点——虚短虚断
虚短
虚断
2) 运放工作非线性区
* 电路特征——开环引入正反馈
* 电路特点——
输出电压两种饱状态
u+>u时uo+Uom
u+两输入端输入电流零
i+i0
第七章 放电路中反馈
反馈概念建立
＊开环放倍数－－－Ａ
＊闭环放倍数－－－Ａｆ
＊反馈深度－－－１＋ＡＦ
＊环路增益－－－ＡＦ：
1．ＡＦ＞０时Ａｆ降种反馈称负反馈
2．ＡＦ＝０时表明反馈效果零
3．ＡＦ＜０时Ａｆ升高种反馈称正反馈
4．ＡＦ＝－１时 Ａｆ→∞ 放器处 激振荡状态
二．反馈形式判断
1 反馈范围级级间
2 反馈性质交流直流交直流
直流通路中存反馈直流反馈交流通路中存
反馈交流反馈交直流通路中存反馈
交直流反馈
3 反馈取样电压反馈：反馈量取样输出电压具稳定输出电压作
（输出短路时反馈消失）
电流反馈：反馈量取样输出电流具稳定输出电流作
（输出短路时反馈消失）
4 反馈方式联反馈：反馈量原输入量输入电路中电
流形式相叠加Rs越反馈效果越
反馈信号反馈输入端）
串联反馈：反馈量原输入量输入电路中电压
形式相叠加 Rs越反馈效果越
反馈信号反馈非输入端）
5 反馈极性瞬时极性法：
（1）假定某输入信号某瞬时极性正（+表示）设信号
频率中频段
（2）根该极性逐级推断出放电路中相关点瞬时极性（升
高 + 表示降低 － 表示）
（3）确定反馈信号极性
（4）根Xi X f 极性确定净输入信号Xid 减负反
馈Xid 增正反馈
三 反馈形式描述方法
某反馈元件引入级间（级）直流负反馈交流电压（电流）串
联（联）负反馈
四 负反馈放电路性影响
1 提高放倍数稳定性
2
3 扩展频带
4 减非线性失真抑制干扰噪声
5 改变放电路输入输出电阻
*串联负反馈输入电阻增加1+AF倍
*联负反馈输入电阻减1+AF倍
*电压负反馈输出电阻减1+AF倍
*电流负反馈输出电阻增加1+AF倍
五 激振荡产生原条件
1 产生激振荡原
附加相移负反馈转化正反馈
2 产生激振荡条件
表示幅值相位条件：
第八章 信号运算处理
分析 虚断虚短
基运算电路
1 反相例运算电路
R2 R1Rf
2 相例运算电路
R2R1Rf
3 反相求运算电路
R4R1R2R3Rf
4 相求运算电路
R1R2R3R4RfR5
5 加减运算电路
R1R2RfR3R4R5
二 积分微分运算电路
1 积分运算
2 微分运算
第九章 信号发生电路
正弦波振荡电路基概念
1 产生正弦波振荡条件(直接引入正反馈)
激振荡衡条件
幅值衡条件：
相位衡条件：
2 起振条件
幅值条件 ：
相位条件
3正弦波振荡器组成分类
正弦波振荡器组成
(1) 放电路建立维持振荡
(2) 正反馈网络放电路满足振荡条件
(3) 选频网络选择某频率进行振荡
(4) 稳幅环节波形幅值稳定波形形状良
* 正弦波振荡器分类
(1) RC振荡器振荡频率较低1M
(2) LC振荡器振荡频率较高1M
(3) 石英晶体振荡器振荡频率高稳定
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第章 半导体二极
半导体基础知识
1半导体导电力介导体绝缘体间物质(硅Si锗Ge)
2特性光敏热敏掺杂特性
3征半导体纯净具单晶体结构半导体
4 两种载流子 带正负电荷移动空穴电子统称载流子
5杂质半导体征半导体中掺入微量杂质形成半导体体现半导体掺杂特性
*P型半导体 征半导体中掺入微量三价元素（子空穴少子电子）
*N型半导体 征半导体中掺入微量五价元素（子电子少子空穴）
6 杂质半导体特性
*载流子浓度子浓度决定杂质浓度少子浓度温度关
*体电阻通常杂质半导体身电阻称体电阻
*转型通改变掺杂浓度种杂质半导体改型外种杂质半导体
7 PN结
* PN结接触电位差硅材料约06~08V锗材料约02~03V
* PN结单导电性正偏导通反偏截止
8 PN结伏安特性
二 半导体二极
*单导电性正导通反截止
*二极伏安特性ＰＮ结
*正导通压降硅06~07V锗02~03V
*死区电压硅05V锗01V
3分析方法二极断开分析二极两端电位高低
V阳 >V阴( 正偏 )二极导通(短路)
V阳
该式伏安特性曲线
交点静态工作点Q
2) 等效电路法
Ø 直流等效电路法
*总解题手段二极断开分析二极两端电位高低
V阳 >V阴( 正偏 )二极导通(短路)
V阳
Ø 微变等效电路法
三 稳压二极稳压电路
*稳压二极特性正常工作时处PN结反击穿区稳压二极电路中反连接
第二章 三极基放电路
三极结构类型特点
1类型分NPNPNP两种
2特点基区薄掺杂浓度低发射区掺杂浓度高基区接触
面积较集电区掺杂浓度较高基区接触面积较
二 三极工作原理
1 三极三种基组态
2 三极极电流分配
* 发射极电流放系数 (表明三极电流控制器件
式子 称穿透电流
3 射电路特性曲线
*输入特性曲线二极
* 输出特性曲线
(饱压降UCES表示
放区发射结正偏集电结反偏
截止区发射结反偏集电结反偏
4 温度影响
温度升高输入特性曲线左移动
温度升高ICBO ICEO ICβ均增加
三 低频信号等效模型（简化）
hie输出端交流短路时输入电阻
常rbe表示
hfe输出端交流短路时正电流传输
常β表示
四 基放电路组成原
1 VT VCC Rb Rc C1C2作
2组成原放失真传输
五 放电路图解分析法
1 直流通路静态分析
*概念直流电流通回路
*画法电容视开路
*作确定静态工作点
*直流负载线VCCICRC+UCE 确定直线
*电路参数静态工作点影响
1）改变Rb ：Q点直流负载线移动
2）改变Rc ：Q点IBQ条输出特性曲线移动
3）改变VCC：直流负载线移Q点发生移动
2 交流通路动态分析
*概念交流电流流通回路
*画法电容视短路理想直流电压源视短路
*作分析信号放程
*交流负载线 连接Q点V CC’点 V CC’ UCEQ+ICQR L’
直线
3 静态工作点非线性失真
（1）截止失真
*产生原Q点设置低
*失真现象NPN削顶PNP削底
*消方法减Rb提高Q
（2） 饱失真
*产生原Q点设置高
*失真现象NPN削底PNP削顶
*消方法增Rb减Rc增VCC
4 放器动态范围
（1） Uopp指放器失真输出电压峰峰值
（2）范围
*（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）时受截止失真限制UOPP2UOMAX2ICQRL’
*（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ ）时受饱失真限制UOPP2UOMAX2 （UCEQ－UCES）
*（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ ）放器失真输出电压
六 放电路等效电路法
1 静态分析
（1）静态工作点似估算
（2）Q点放区条件
欲Q点进入饱区应满足RB＞βRc
2 放电路动态分析
* 放倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
七 分压式稳定工作点射
放电路等效电路法
1．静态分析
2．动态分析
*电压放倍数
Re两端电解电容Ce
输入电阻
Re两端电解电容Ce
* 输出电阻
八 集电极基放电路
1．静态分析
2．动态分析
* 电压放倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
3 电路特点
* 电压放倍数正略1称射极器简称射器
* 输入电阻高输出电阻低
第三章 场效应基放电路
结型场效应（ JFET ）
1结构示意图电路符号
2 输出特性曲线
（变电阻区放区截止区击穿区）
转移特性曲线
UP 截止电压
二 绝缘栅型场效应（MOSFET）
分增强型（EMOS）耗型（DMOS）两种
结构示意图电路符号
2 特性曲线
*NEMOS输出特性曲线
* NEMOS转移特性曲线
式中IDOUGS2UT时应iD值
* NDMOS输出特性曲线
注意：uGS正零负转移特性曲线iD0处值夹断电压UP曲线表示式结型场效应致
三 场效应参数
1漏极饱电流IDSS
2夹断电压Up
3开启电压UT
4直流输入电阻RGS
5低频跨导gm (表明场效应电压控制器件)
四 场效应信号等效模型
EMOS 跨导gm
五 源极基放电路
1偏压式偏置放电路
* 静态分析
动态分析
带Cs
2分压式偏置放电路
* 静态分析
* 动态分析
源极带Cs
六漏极基放电路
* 静态分析
* 动态分析
第五章 功率放电路
功率放电路三种工作状态
1甲类工作状态
导通角360oICQ耗效率低
2乙类工作状态
ICQ≈0 导通角180o效率高失真
3甲乙类工作状态
导通角180o~360o效率较高失真较
二 乙类功放电路指标估算
1 工作状态
Ø 意状态：Uom≈Uim
Ø 限状态：UomVCCUCES
Ø 理想状态：Uom≈VCC
2 输出功率
3 直流电源提供均功率
4 耗 Pc1m02Pom
5效率
理想时785
三 甲乙类互补称功率放电路
1 问题提出
两交时出现波形失真——交越失真(质截止失真)
2 解决办法
Ø 甲乙类双电源互补称功率放器OCL利二极三极电阻压降产生偏置电压
动态指标乙类状态估算
Ø 甲乙类单电源互补称功率放器OTL电容 C2 静态电压VCC2取代OCL功放中负电源VCC
动态指标乙类状态估算VCC2代
四 复合组成特点
1 前子ce极跨接子bc极间
2 类型取决第子类型
3 ββ1·β 2
第六章 集成运算放电路
集成运放电路基组成
1输入级采差放电路减零漂
2中间级采射(源)放电路提高放倍数
3输出级采互补称电路提高带负载力
4偏置电路采电流源电路级提供合适静态电流
二 长尾差放电路原理特点
1 抑制零点漂移程
T↑→ iC1iC2↑→ iE1iE2 ↑→ uE↑→ uBE1uBE2↓→ iB1iB2↓→ iC1iC2↓
Re温度漂移种模信号强烈抑制作称模反馈电阻
2静态分析
1) 计算差放电路IC
设UB≈0UE－07V
2) 计算差放电路UCE
• 双端输出时
•
• 单端输出时(设VT1集电极接RL)
VT1：
VT2：
3 动态分析
1）差模电压放倍数
• 双端输出
•
• 单端输出时
VT1单端输出 ：
VT2单端输出 ：
2）差模输入电阻
3）差模输出电阻
• 双端输出：
• 单端输出
三 集成运放电压传输特性
uI+UimUim间运放工作线性区域 ：
四 理想集成运放参数分析方法
1 理想集成运放参数特征
* 开环电压放倍数 Aod→∞
* 差模输入电阻 Rid→∞
* 输出电阻 Ro→0
* 模抑制KCMR→∞
2 理想集成运放分析方法
1) 运放工作线性区
* 电路特征——引入负反馈
* 电路特点——虚短虚断
虚短
虚断
2) 运放工作非线性区
* 电路特征——开环引入正反馈
* 电路特点——
输出电压两种饱状态
u+>u时uo+Uom
u+
i+i0
第七章 放电路中反馈
反馈概念建立
＊开环放倍数－－－Ａ
＊闭环放倍数－－－Ａｆ
＊反馈深度－－－１＋ＡＦ
＊环路增益－－－ＡＦ：
1．ＡＦ＞０时Ａｆ降种反馈称负反馈
2．ＡＦ＝０时表明反馈效果零
3．ＡＦ＜０时Ａｆ升高种反馈称正反馈
4．ＡＦ＝－１时 Ａｆ→∞ 放器处 激振荡状态
二．反馈形式判断
1 反馈范围级级间
2 反馈性质交流直流交直流
直流通路中存反馈直流反馈交流通路中存
反馈交流反馈交直流通路中存反馈
交直流反馈
3 反馈取样电压反馈：反馈量取样输出电压具稳定输出电压作
（输出短路时反馈消失）
电流反馈：反馈量取样输出电流具稳定输出电流作
（输出短路时反馈消失）
4 反馈方式联反馈：反馈量原输入量输入电路中电
流形式相叠加Rs越反馈效果越
反馈信号反馈输入端）
串联反馈：反馈量原输入量输入电路中电压
形式相叠加 Rs越反馈效果越
反馈信号反馈非输入端）
5 反馈极性瞬时极性法：
（1）假定某输入信号某瞬时极性正（+表示）设信号
频率中频段
（2）根该极性逐级推断出放电路中相关点瞬时极性（升
高 + 表示降低 － 表示）
（3）确定反馈信号极性
（4）根Xi X f 极性确定净输入信号Xid 减负反
馈Xid 增正反馈
三 反馈形式描述方法
某反馈元件引入级间（级）直流负反馈交流电压（电流）串
联（联）负反馈
四 负反馈放电路性影响
1 提高放倍数稳定性
2
3 扩展频带
4 减非线性失真抑制干扰噪声
5 改变放电路输入输出电阻
*串联负反馈输入电阻增加1+AF倍
*联负反馈输入电阻减1+AF倍
*电压负反馈输出电阻减1+AF倍
*电流负反馈输出电阻增加1+AF倍
五 激振荡产生原条件
1 产生激振荡原
附加相移负反馈转化正反馈
2 产生激振荡条件
表示幅值相位条件：
第八章 信号运算处理
分析 虚断虚短
基运算电路
1 反相例运算电路
R2 R1Rf
2 相例运算电路
R2R1Rf
3 反相求运算电路
R4R1R2R3Rf
4 相求运算电路
R1R2R3R4RfR5
5 加减运算电路
R1R2RfR3R4R5
二 积分微分运算电路
1 积分运算
2 微分运算
第九章 信号发生电路
正弦波振荡电路基概念
1 产生正弦波振荡条件(直接引入正反馈)
激振荡衡条件
幅值衡条件：
相位衡条件：
2 起振条件
幅值条件 ：
相位条件
3正弦波振荡器组成分类
正弦波振荡器组成
(1) 放电路建立维持振荡
(2) 正反馈网络放电路满足振荡条件
(3) 选频网络选择某频率进行振荡
(4) 稳幅环节波形幅值稳定波形形状良
* 正弦波振荡器分类
(1) RC振荡器振荡频率较低1M
(2) LC振荡器振荡频率较高1M
(3) 石英晶体振荡器振荡频率高稳定
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