晶体结构性质
解题技巧
(1)般情况类型晶体熔沸点高低规律：原子晶体>离子晶体>分子晶体：金刚石>NaCl>Cl2金属晶体>分子晶体：Na>Cl2(金属晶体熔沸点高钨铂等低汞等)
(2)形成原子晶体原子半径越键长越短键越熔沸点越高：金刚石>石英>碳化硅>晶体硅
(3)形成离子晶体阴阳离子电荷数越离子半径越离子键越强熔沸点越高：MgO>MgCl2NaCl>CsCl
(4)金属晶体中金属离子半径越离子带电荷数越形成金属键越强金属单质熔沸点越高Al>Mg>Na
(5)分子晶体熔沸点较规律
①组成结构相似分子相分子质量越熔沸点越高：HI>HBr>HCl
②组成结构相似分子分子极性越熔沸点越高：CO>N2
③分异构体分子中支链越少熔沸点越高：正戊烷>异戊烷>新戊烷
④分异构体中芳香烃衍生物邻位取代物>间位取代物>位取代物：邻二甲苯>间二甲苯>二甲苯
2．晶胞中微粒数目计算方法——均摊法
熟记种常见晶胞结构晶胞含粒子数目
A．NaCl(含4Na＋4Cl－)
B．干冰(含4CO2)
C．CaF2(含4Ca2＋8F－)
D．金刚石(含8C)
E．体心立方(含2原子)
F．面心立方(含4原子)
3．晶胞求算
(1)晶体密度计算
(2)晶体微粒Mρ间关系
1晶胞中含x微粒1 mol晶胞中含x mol微粒质量xM g(M微粒相原子质量)1晶胞质量ρa3 g(a3晶胞体积a晶胞边长微粒间距离)1 mol晶胞质量ρa3NA gxM＝ρa3NA
训练
1．(1)国科学家成功合成世界首五氮阴离子盐(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl(R代表)晶体局部结构图示回答列问题：
R晶体密度d g·cm－3立方晶胞参数a nm晶胞中含y[(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl]单元该单元相质量My计算表达式________________
(2)MgO具NaCl型结构(图)中阴离子采面心立方密堆积方式X射线衍射实验测MgO晶胞参数a＝0420 nmr(O2－)________ nmMnO属NaCl型结构晶胞参数a′＝0448 nmr(Mn2＋)________ nm
(3)①GaF3熔点高1 000 ℃GaCl3熔点779 ℃原______________________________________
②GaAs熔点1 238 ℃密度ρ g·cm－3晶胞结构图示该晶体类型________GaAs________键键合GaAs摩尔质量分MGa g·mol－1MAs g·mol－1原子半径分rGa pmrAs pm阿伏加德罗常数值NAGaAs晶胞中原子体积占晶胞体积百分率____________________
(4)单质O两种素异形体中沸点高________(填分子式)原__________________________________ONa氢化物属晶体类型分________________
(5)① Cu2O半导体材料立方晶胞部4氧原子余氧原子位面心顶点该晶胞中________铜原子
②Al单质面心立方晶体晶胞参数a＝0405 nm晶胞中铝原子配位数________列式表示Al单质密度________________g·cm－3(必计算出结果)
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解题技巧
(1)般情况类型晶体熔沸点高低规律：原子晶体>离子晶体>分子晶体：金刚石>NaCl>Cl2金属晶体>分子晶体：Na>Cl2(金属晶体熔沸点高钨铂等低汞等)
(2)形成原子晶体原子半径越键长越短键越熔沸点越高：金刚石>石英>碳化硅>晶体硅
(3)形成离子晶体阴阳离子电荷数越离子半径越离子键越强熔沸点越高：MgO>MgCl2NaCl>CsCl
(4)金属晶体中金属离子半径越离子带电荷数越形成金属键越强金属单质熔沸点越高Al>Mg>Na
(5)分子晶体熔沸点较规律
①组成结构相似分子相分子质量越熔沸点越高：HI>HBr>HCl
②组成结构相似分子分子极性越熔沸点越高：CO>N2
③分异构体分子中支链越少熔沸点越高：正戊烷>异戊烷>新戊烷
④分异构体中芳香烃衍生物邻位取代物>间位取代物>位取代物：邻二甲苯>间二甲苯>二甲苯
2．晶胞中微粒数目计算方法——均摊法
熟记种常见晶胞结构晶胞含粒子数目
A．NaCl(含4Na＋4Cl－)
B．干冰(含4CO2)
C．CaF2(含4Ca2＋8F－)
D．金刚石(含8C)
E．体心立方(含2原子)
F．面心立方(含4原子)
3．晶胞求算
(1)晶体密度计算
(2)晶体微粒Mρ间关系
1晶胞中含x微粒1 mol晶胞中含x mol微粒质量xM g(M微粒相原子质量)1晶胞质量ρa3 g(a3晶胞体积a晶胞边长微粒间距离)1 mol晶胞质量ρa3NA gxM＝ρa3NA
训练
1．(1)国科学家成功合成世界首五氮阴离子盐(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl(R代表)晶体局部结构图示回答列问题：
R晶体密度d g·cm－3立方晶胞参数a nm晶胞中含y[(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl]单元该单元相质量My计算表达式________________
(2)MgO具NaCl型结构(图)中阴离子采面心立方密堆积方式X射线衍射实验测MgO晶胞参数a＝0420 nmr(O2－)________ nmMnO属NaCl型结构晶胞参数a′＝0448 nmr(Mn2＋)________ nm
(3)①GaF3熔点高1 000 ℃GaCl3熔点779 ℃原______________________________________
②GaAs熔点1 238 ℃密度ρ g·cm－3晶胞结构图示该晶体类型________GaAs________键键合GaAs摩尔质量分MGa g·mol－1MAs g·mol－1原子半径分rGa pmrAs pm阿伏加德罗常数值NAGaAs晶胞中原子体积占晶胞体积百分率____________________
(4)单质O两种素异形体中沸点高________(填分子式)原__________________________________ONa氢化物属晶体类型分________________
(5)① Cu2O半导体材料立方晶胞部4氧原子余氧原子位面心顶点该晶胞中________铜原子
②Al单质面心立方晶体晶胞参数a＝0405 nm晶胞中铝原子配位数________列式表示Al单质密度________________g·cm－3(必计算出结果)
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